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参数资料
型号： CFY67-06
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
中文描述： 伊雷尔K波段低噪声砷化镓超迁移率晶体管
文件页数： 6/9页
文件大小： 747K
代理商： CFY67-06
CFY67
S emiconductor Group
6 of 10
Draft D, S eptember 99
Typical Common Source S-Parameters
(continued)
CFY67-06: V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA, Z
o
= 50
|S21|
<S21
|S12|
[mag]
[ang]
[mag]
6,112
166
0,0111
5,956
159
0,0211
5,810
150
0,0302
5,690
142
0,0394
5,522
133
0,0484
5,386
124
0,0567
5,236
116
0,0637
5,067
107
0,0702
4,911
99
0,0760
4,752
91
0,0809
4,586
84
0,0851
4,420
76
0,0889
4,260
69
0,0918
4,107
62
0,0941
3,974
55
0,0962
3,852
49
0,0980
3,747
42
0,0995
3,659
35
0,1008
3,571
29
0,1022
3,497
22
0,1039
3,430
16
0,1049
3,368
9
0,1064
3,317
3
0,1078
3,265
-4
0,1093
3,216
-10
0,1105
3,169
-17
0,1116
3,120
-24
0,1126
3,080
-30
0,1137
3,044
-37
0,1151
3,014
-44
0,1160
2,990
-51
0,1171
2,967
-58
0,1185
2,945
-65
0,1197
2,947
-71
0,1206
2,961
-77
0,1215
2,979
-81
0,1230
f
|S11|
[mag]
0,962
0,937
0,913
0,889
0,860
0,834
0,810
0,784
0,761
0,740
0,720
0,701
0,682
0,663
0,644
0,627
0,611
0,595
0,581
0,567
0,556
0,546
0,537
0,528
0,520
0,513
0,506
0,498
0,492
0,489
0,484
0,485
0,485
0,485
0,487
0,490
<S11
[ang]
-13
-22
-33
-41
-51
-61
-71
-80
-90
-99
-107
-116
-124
-131
-139
-148
-157
-165
-173
178
170
163
155
149
142
135
128
121
113
106
98
91
83
75
69
64
<S12
[ang]
76
69
64
58
53
48
43
38
33
28
24
19
15
11
7
3
-1
-5
-9
-13
-17
-21
-26
-30
-35
-39
-44
-49
-54
-59
-65
-71
-77
-82
-87
-90
|S22|
[mag]
0,539
0,525
0,511
0,498
0,484
0,469
0,456
0,440
0,423
0,410
0,397
0,385
0,373
0,362
0,351
0,343
0,333
0,323
0,313
0,303
0,293
0,284
0,274
0,265
0,255
0,246
0,235
0,225
0,215
0,207
0,200
0,193
0,187
0,182
0,177
0,174
<S22 k-Fact. S
21
/S
12
MAG
[ang]
[mag]
-15
0,42
-19
0,42
-24
0,44
-30
0,46
-36
0,48
-43
0,50
-49
0,52
-55
0,55
-61
0,58
-67
0,60
-73
0,63
-79
0,66
-84
0,69
-89
0,73
-93
0,77
-98
0,80
-102
0,83
-107
0,86
-112
0,90
-116
0,92
-121
0,95
-127
0,98
-131
1,00
-135
1,02
-139
1,05
-143
1,07
-146
1,10
-150
1,12
-155
1,14
-159
1,15
-163
1,16
-167
1,17
-171
1,17
-175
1,17
-178
1,16
179
1,14
[GHz]
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
13,5
14,0
14,5
15,0
15,5
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
[dB]
27,4
24,5
22,8
21,6
20,6
19,8
19,1
18,6
18,1
17,7
17,3
17,0
16,7
16,4
16,2
15,9
15,8
15,6
15,4
15,3
15,1
15,0
14,9
14,8
14,6
14,5
14,4
14,3
14,2
14,1
14,1
14,0
13,9
13,9
13,9
13,8
[dB]
13,8
13,3
12,9
12,5
12,2
12,0
11,8
11,6
11,5
11,4
11,4
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PDF描述
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CFY67-08P HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-10 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
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CGA633450A LIGHTWEIGHT PRISMATIC MODEL
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CFY67-08 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-08 (P) 功能描述:射频GaAs晶体管 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
CFY67-08P 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-08PE6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
CFY6708PZZZA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:CFY6708PZZZA1 - Bulk
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