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参数资料
型号： CFY67-08P
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
中文描述： 伊雷尔K波段低噪声砷化镓超迁移率晶体管
文件页数： 5/9页
文件大小： 747K
代理商： CFY67-08P
CFY67
S emiconductor Group
5 of 10
Draft D, S eptember 99
Typical Common Source S-Parameters
CFY67-08: V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA, Z
o
= 50
|S21|
<S21
|S12|
f
|S11|
<S11
<S12
|S22|
<S22 k-Fact. S
21
/S
12
MAG
[GHz] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn] [angle] [magn]
0,5
0,963
-15
5,315
165
1,0
0,938
-23
5,182
159
1,5
0,913
-33
5,060
150
2,0
0,889
-42
4,940
142
2,5
0,865
-52
4,824
133
3,0
0,844
-62
4,715
124
3,5
0,823
-72
4,591
115
4,0
0,800
-81
4,450
107
4,5
0,779
-91
4,319
99
5,0
0,761
-100
4,183
91
5,5
0,743
-109
4,043
83
6,0
0,725
-117
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75
6,5
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-125
3,769
68
7,0
0,690
-132
3,640
61
7,5
0,673
-139
3,529
54
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-146
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48
8,5
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-153
3,344
41
9,0
0,625
-160
3,271
34
9,5
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-168
3,202
28
10,0
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-175
3,143
21
10,5
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177
3,089
15
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8
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1
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-5
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-12
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-19
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131
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-26
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-33
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108
2,765
-46
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99
2,751
-54
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2,735
-61
16,5
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-68
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-75
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68
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-80
18,0
0,498
62
2,760
-84
[dB]
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23,6
22,0
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14,3
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14,1
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14,0
14,0
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14,0
[dB]
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0,1090
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11,4
11,5
相关PDF资料
PDF描述
CFY67-10 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY67-10P HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CGA633450A LIGHTWEIGHT PRISMATIC MODEL
cgb 190 GaAs HBT(GaAs 场效应管)
cgb 90 GaAs HBT(GaAs 场效应管)
相关代理商/技术参数
参数描述
CFY67-08PE6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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CFY77 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:AlGaAs / InGaAs HEMT (Very low noise Very high gain For low noise front end amplifiers up to 20 GHz For DBS down converters)
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