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参数资料
型号： CFY67-10P
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
中文描述： 伊雷尔K波段低噪声砷化镓超迁移率晶体管
文件页数： 3/9页
文件大小： 747K
代理商： CFY67-10P
CFY67
S emiconductor Group
3 of 10
Draft D, S eptember 99
Electrical Characteristics
(at T
A
=25°C; unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Drain-source saturation current
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
I
Dss
15
30
60
mA
Gate threshold voltage
V
DS
= 2 V, I
D
= 1 mA
-V
Gth
0.2
0.7
2.0
V
Drain current at pinch-off
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= - 3 V
I
Dp
-
< 50
-
μA
Gate leakage current at pinch-off
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= - 3 V
-I
Gp
-
< 50
200
μA
Transconductance
V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA
g
m15
50
65
-
mS
Gate leakage current at operation
V
DS
= 2 V, I
D
= 15 mA
-I
G15
-
< 0.5
2
μA
Thermal resistance
junction to soldering point
R
th J S
-
450
-
K/W
相关PDF资料
PDF描述
CGA633450A LIGHTWEIGHT PRISMATIC MODEL
cgb 190 GaAs HBT(GaAs 场效应管)
cgb 90 GaAs HBT(GaAs 场效应管)
cgb 92 GaAs HBT(GaAs 场效应管)
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