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参数资料
| 型号： | CGH40006P-TB |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 1550K |
| 描述： | BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40006P |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | GaN |
| 类型： | HEMT |
| 频率： | 500MHz ~ 6GHz |
| 适用于相关产品： | CGH40006P |
| 已供物品： | 板 |
| 产品目录页面： | 558 (CN2011-ZH PDF) |
8
CGH40006P Rev 2.2
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.869.2733
www.cree.com/rf
Copyright ? 2009-2013 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree and
the Cree logo are registered trademarks of Cree, Inc.
Source and Load Impedances
Frequency (MHz)
Z Source
Z Load
1000
13.78 + j6.9
61.5 + j47.4
2000
4.78 + j1.78
19.4 + j39.9
3000
2.57 - j6.94
12.57 + j23.1
4000
3.54 - j14.86
9.44 + j11.68
5000
4.42 - j25.8
9.78 + j4.85
6000
7.1 - j42.7
9.96 - j4.38
Note 1. VDD
= 28V, I
DQ
= 100mA in the 440109 package.
Note 2. Optimized for power gain, PSAT and PAE.
Note 3. When using this device at low frequency, series resistors
should be used to maintain amplifer stability.
CGH40006P Power Dissipation De-rating Curve
Note 1. Area exceeds Maximum Case Operating Temperature (See Page 2).
D
Z Source
Z Load
G
S
5
6
7
8
9
P
o
w
e
r
D
i
s
s
i
p
a
t
i
o
n
(
W
)
Power Dissipation derating Curve vs max Tcase
0
1
2
3
4
0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250
P
o
w
e
r
D
i
s
s
i
p
a
t
i
o
n
(
W
)
Maximum Case Temperature (°C)
Note 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSDC06S3 | SWITCH ROTARY SIDE |
| DV75C-010.0M | OSC TCXO 10.000 MHZ 3.3V SMD |
| HSM93-010.0M | OSCILLATOR 10MHZ HCMOS SMD |
| GSDB06S3 | SWITCH ROTARY SIDE |
| DS32KHZN/DIP | IC TCXO 32.768KHZ IND 14-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CGH40006S | 功能描述:FET RF HEMT 6GHZ 28V 3X3QFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:GaN 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| CGH40006S-KIT | 功能描述:FET RF HEMT 28V 100MA 440203 RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 评估和开发套件，板 系列:GaN 标准包装:1 系列:- 类型:GPS 接收器 频率:1575MHz 适用于相关产品:- 已供物品:模块 其它名称:SER3796 |
| CGH40010 | 制造商:CREE 制造商全称:Cree, Inc 功能描述:10 W, RF Power GaN HEMT |
| CGH40010F | 功能描述:TRANS 10W RF GAN HEMT 440166 PKG RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| CGH40010F-TB | 功能描述:BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40010 RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 评估和开发套件，板 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:GPS 接收器 频率:1575MHz 适用于相关产品:- 已供物品:模块 其它名称:SER3796 |
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