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参数资料
| 型号： | CGY195 |
| 厂商： | SIEMENS A G |
| 元件分类： | 衰减器 |
| 英文描述： | GaAs MMIC |
| 中文描述： | RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | CGY195 |
GaAs MMIC
CGY 195
_________________________________________________________________________________________________________
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 2/3
27.01.97
HL EH PD 21
Electrical characteristics
(TA= 25°C , f=1.89 GHz, ZS=ZL=50 Ohm, , unless otherwise specified)
Characteristics
Symbol
min
typ
max
Unit
Supply current
VD=3.3V; Pin = +3 dBm
Gain
VD=3.3V; Pin = -10 dBm
Output Power
VD=3.3V; Pin = 3 dBm
Output Power
VD=4.8V; Pin = 5 dBm
Overall Power added Efficiency
VD=3.3V; Pin = 3 dBm
IDD
-
270
-
mA
G
-
26
-
dB
Po
-
26
-
dBm
Po
-
28
-
dBm
PAE
42
-
%
Output power and power added efficiency
pulsed mode: T=577
μ
s, duty cycle 12.5%
CGY 195
5
10
15
20
25
30
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Pin/dBm
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Pout [dBm]
PAE [%]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CGY2011G | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:GSM 4 W power amplifiers |
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