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参数资料
| 型号： | CGY81 |
| 厂商： | SIEMENS A G |
| 元件分类： | 衰减器 |
| 英文描述： | GaAs MMIC (Tri mode power amplifier for AMPS/ CDMA /TDMA portable cellular phones) |
| 中文描述： | 824 MHz - 849 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 247K |
| 代理商： | CGY81 |
CGY 81
Siemens Aktiengesellschaft
Semiconductor Group
9
9
23.07.98
HL HF PE GaAs 1/Fo
CDMA Mode: Gain vs. f
Vd=4V, Pout=29,5dBm, Iq=300mA
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
820
825
830
835
840
845
850
f [MHz]
T
CDMA Mode: PAE vs. f
Vd=4V, Pout=29,5dBm, Iq=300mA
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
820
825
830
835
840
845
850
f [MHz]
P
Typical Performance in TDMA Operation Mode
TDMA Mode: Pout, PAE & Id vs. Pin
Vd=3,5V, Iq=300mA, f=836,5 MHz, T=25°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
-15
-13
-11
-9
-7
-5
-3
-1
1
3
5
Pin [dBm]
P
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
I
Pout [dBm]
PAE [%]
Id [mA]
TDMA Mode: ACPR & TG vs. Pout
Vd=3,5V, Iq=300mA, f=836,5 MHz, T=25°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
14
16
18
20
22
24
26
28
30
Pout [dBm]
A
22
23
24
25
26
27
28
29
30
T
Padj [dBc]
Palt [dBc]
TG [dB]
TDMA Mode: Padj vs. f
Vd=3,0V, Pout=29dBm, Iq=300mA
25
26
27
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29
30
31
32
33
34
35
820
825
830
835
840
845
850
f [MHz]
A
TDMA Mode: Palt vs. f
Vd=3,0V, Pout=29dBm, Iq=300mA
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
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820
825
830
835
840
845
850
f [MHz]
A
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| CGY887B | 功能描述:射频放大器 BULK CATV RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
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