应用范围:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF20N60C | 材料:IC | 封装形式:220F

品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:SPP20N60C3 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:SPI20N60C3 | 沟道类型:其他 | 封装形式:TO-220 | 发货期限:3 | 应用范围:放大

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:TK20A60U | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | --:--

品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:SPP20N60C3 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:ALPHA/阿尔法 | 型号:AOTF20N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 应用范围:其他

品牌:韩国FH | 型号:FHP12N60 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:LMP-C/阻抗变换 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

种类:场效应管 | 品牌:新洁能 | 型号:NCE20N60

种类:场效应管 | 品牌:新洁能 | 型号:NCE20N60F

种类:场效应管 | 品牌:新洁能 | 型号:NCE20N60T

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:TK20J60U | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 属性:--

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:TK20A60T | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P沟道 | --:--

类型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FCPF20N60 | 功率:原厂 | 用途:电视机 | 封装:220F | 批号:13+ | 产品类型:原厂 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 供应商类型:原厂

品牌:IXYS/艾赛斯 | 型号:IXFH20N60 | 沟道类型:其他 | 封装形式:TO-3P | 发货期限:3 | 应用范围:放大

品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:SPP20N60C3 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:ALPHA/阿尔法 | 型号:AOW20S60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 应用范围:其他

品牌:ST/意法 | 型号:P25NM50N | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:CHOP/斩波、限幅 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化镓 | 集电极最大允许电流ICM:20 | 封装形式:直插型 | 截止频率fT:50

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF10N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:ST/意法 | 型号:STW26NM60N | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 | 导电方式:增强型 | 封装外形:TO-247-3 | 类型:其他IC | 批号:11+ | 封装:TO-247