品牌:IR | 型号:IRF740STRLPBF | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-FBM/全桥组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 封装:TO-263

品牌:KIA | 型号:KIA740 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型

品牌:FREESCALE/飞思卡尔 | 型号:IRF740 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:GaAS-FET砷化镓 | 最大漏极电流:1 | 跨导:1 | 开启电压:1 | 夹断电压:1 | 低频噪声系数:1 | 极间电容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF740NPBF | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源

品牌:RENESAS/瑞萨 | 型号:IRF740 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF740 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:IR | 型号:IRF740 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插

类型:其他IC | 品牌:IR | 型号:IRF740 | 功率:标准 | 封装:TO-220 | 批号:13+

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF740N | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:进口/台湾/国产 | 型号:IRF740PBF | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:SLT/实力通 | 型号:IRF740（TO-220) | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF740PBF | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:IRF830，IRF840，IRF740，IRF730 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.

品牌:IR | 型号:IRF740 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:GaAS-FET砷化镓 | 0:0

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF530N | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 批号:12+ | 针脚数:3 | 封装:220

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF740PBF | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:HA/行输出级 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET锗P沟道