品牌:FREESCALE/飞思卡尔 | 型号:IRF740 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:GaAS-FET砷化镓 | 最大漏极电流:1 | 跨导:1 | 开启电压:1 | 夹断电压:1 | 低频噪声系数:1 | 极间电容:1 | 最大耗散功率:1
≥1000 个
¥0.60
品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF830 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N沟道
≥3000 个
¥1.00
品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF840,IRF830 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.
≥1000 个
¥0.75
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:IRF830,IRF840,IRF740,IRF730 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.
≥1000 个
¥0.50
品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF830 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥10 个
¥2.00
品牌:ST/意法 | 型号:IRF830 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MIN/微型 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金属半导体 | 最大漏极电流:4.5 | 开启电压:500 | 夹断电压:500 | 低频噪声系数:+- | 极间电容:+- | 最大耗散功率:100 | 低频跨导:+-
≥1000 个
¥0.55
品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF830N | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 关断速度:普通 | 极数:三极 | 封装材料:塑料封装
≥100 个
¥2.00
品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF830 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.10
品牌:TOS | 型号:IRF830 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-P-FET锗P沟道
1000-4999 个
¥1.25
≥5000 个
¥1.24
品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFP460 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:20000 | 低频噪声系数:28 | 极间电容:0.2
5000-9999 个
¥3.80
10000-49999 个
¥3.70
≥50000 个
¥3.50
种类:场效应管 | 品牌:进口 | 型号:IRF830
≥50 PCS
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:拆机场效应管IRF830.IRF730.IRF630.IRF530 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | ?:?
≥1000 个
¥0.18
品牌:IR/国际整流器 | 型号:拆机场效应管供应IRF840.IRF830.IRF740.IRF730.IRTF640.IRF630 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | ?:?
≥2000 个
¥0.18