品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K4111 2SK4111 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥1 个
¥5.00
1-9 个
¥3.00
10-99 个
¥2.50
≥100 个
¥2.00
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM6N15FU | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装
≥3000 个
¥0.55
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM6N16FE | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥3000 个
¥0.48
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:HN7G02FU | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流ID:0.05A | 最大源漏电压VDSS:20V | 应用范围:放大
≥3000 个
¥0.55
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM6K06FU | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大耗散功率Pd:0.3W | 最大漏极电流ID:1.1A | 最大源漏电压VDSS:20V
≥3000 个
¥0.40
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM6K07FU | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏极电流ID:1.5A | 最大源漏电压VDSS:30V
≥3000 个
¥0.58
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM6K08FU | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏极电流ID:1.6A | 最大源漏电压VDSS:20V
≥3000 个
¥0.58
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM6J06FU | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏极电流ID:-0.65A | 最大源漏电压VDSS:-20V
≥3000 个
¥0.48
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM6J08FU | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏极电流ID:-1.3A | 最大源漏电压VDSS:-20V
≥3000 个
¥0.48
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM6J07FU | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏极电流ID:-0.8A | 最大源漏电压VDSS:-30V
≥3000 个
¥0.50
品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K4111 2SK4111 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥1 个
¥5.00
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:TPC6104 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道
≥3000 个
¥0.68
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM6L05FU | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | Nch MOSFET参数:Vds=20V,Id=0.4A | 最大耗散功率PD:0.3W | Pch MOSFET参数:Vds=-20V,Id=-0.2A
≥3000 个
¥0.58
品牌:Toshiba/东芝 | 型号:2SK2843 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥2.15
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:3SK259 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:TUN/调谐 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏极电流ID:0.03A | 最大源漏电压VDSS:13.5V
≥3000 个
¥0.70
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:TPC6004 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流ID:6A | 最大源漏电压VDSS:20V | 应用范围:放大
≥3000 个
¥0.85
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:HN1K02FU | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DUAL/配对管 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥3000 个
¥0.35
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:2SJ380 J380 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET锗P沟道 | .:.
≥50 个
¥1.80
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:K2613 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:D/变频换流 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:ALGaAS铝镓砷
≥10 个
¥6.00