品牌:AO | 型号:AO3400 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFP460 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:AO | 型号:AO4406 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:MES金属半导体 | 功率:1 | 批号:2012+ | 封装:SOP-8

品牌:FUJI/富士通 | 型号:K3599 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:K2842，K2972 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:ST/意法 | 型号:10N50，11N50 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:ST/意法 | 型号:STW9N150 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物，MOSFET N 通道，金属氧化物 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 属性:属性值

品牌:ST/意法 | 型号:6N60 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:ST/意法 | 型号:P9NK60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:13n50/FQA13N50 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FDP025N06 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 | 导电方式:耗尽型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF4104 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 类型:其他IC

品牌:Panasonic/松下 | 型号:XP0487800LS0(XP4878) | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SYM/对称类 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF830 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF840，IRF830 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF12N60C 12N60C | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF7303 F7303 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFB4710 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:NDS352APN | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF4N90C | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 开启电压:900 | 夹断电压:10