品牌:Toshiba/东芝 | 型号:J464 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET锗P沟道 | --:--

品牌:NEC/日本电气 | 型号:C2750 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:HA/行输出级 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷

品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK3523 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:CHOP/斩波，限幅 | 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:ST/意法 | 型号:W15NB50，W15NA50，W15NK50，15N50 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K2698 2SK2698 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷

品牌:ST/意法 | 型号:W9NK90Z | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷

品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K2611 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | to-3p:150W | 9A:900v | N沟道:焊机用

品牌:ST/意法 | 型号:20N50 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.

品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:20N60C3，20N60S5，6R099 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:NEC/日本电气 | 型号:K2139 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:Sanyo/三洋 | 型号:K2010 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:17N80C3 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:进口 | 型号:2SK1117 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFP460 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQA38N30 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:Toshiba/东芝 | 型号:K2613 2SK2613 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷

品牌:Sanyo/三洋 | 型号:K2043 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:AUK | 型号:STK730 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道