品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF640/IRF630 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF640/IRF630 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:进口/台湾国产 | 型号:IRF630 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道，N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MAP/匹配对管 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:GE-P-FET锗P沟道

品牌:Samsung/三星 | 型号:IRF630A | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | ID:9A | VDSS:200V | 封装:TO-220

应用范围:放大 | 品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF630 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插形

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF630 IRF640 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:进口/台湾/国产 | 型号:IRF630 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MIN/微型 | 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料:HEMT高电子迁移率

品牌:IR ST 仙童 | 型号:IRF630 IRF640 IRF720 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF630 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:Motorola/摩托罗拉 | 型号:IRF630N | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | ID:9A | VDSS:200V | 封装:TO-220

品牌:ST/意法 | 型号:IRF630NPBF | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | ID:9.3A | VDSS:200V | 封装:TO-220

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF630 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF630 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 主要参数:200V 9A

品牌:进口名牌，其他，其他 | 型号:2SK2611 2SK2698 2SK2485 FS10SM18A G60M301 IRFP450 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MW/微波 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:IRF630 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:MES金属半导体 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF530 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:.

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:IRF630 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)