品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF12N60C | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型
10-99 个
¥2.00
≥100 个
¥1.95
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQA11N90C | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥20 个
¥4.89
品牌:Federick美国 | 型号:FQPF2N60C | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道
1000-9999 个
¥0.68
≥10000 个
¥0.66
品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF840,IRF830 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.
≥1000 个
¥0.75
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:IRF830,IRF840,IRF740,IRF730 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.
≥1000 个
¥0.50
≥1
¥0.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF12N60C 12N60C | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥1 个
¥4.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FDPF51N25 51N25 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥1 个
¥6.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF4N60C | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1000 个
¥1.20
品牌:进口/台湾国产 | 型号:FQPF4N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:HF/高频(射频)放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:HEMT高电子迁移率
≥1 千克
¥0.10
≥10 个
¥1.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF4N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:HF/高频(射频)放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:HEMT高电子迁移率 | 批号:14+ | 封装:TO-220F
≥1 个
¥0.68
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF4N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:HF/高频(射频)放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:HEMT高电子迁移率
100-999 个
¥0.70
1000-4999 个
¥0.66
≥5000 个
¥0.65
品牌:FSC仙童 | 型号:FQPF5N50C | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-TPBM/三相桥 | 封装外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金属半导体
≥10 个
¥1.35
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:IRF840B | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥100 个
¥0.42
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQA70N15 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 类型:其他IC | 批号:2011 | 封装:TO-3P
≥5 个
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF5N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:TO-220-3 整包 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥10 个
¥0.40
1-999 个
¥1.00
1000-9999 个
¥0.65
≥10000 个
¥0.60
类型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:7N60 | 功率:1 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装:TO-220 | 批号:14+ | 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 | 沟道类型:P沟道 | 种类:绝缘栅(MOSFET)
≥10 个
¥0.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF7N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:TO-220-3 整包 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
≥10 个
¥0.40