品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF12N60C | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型
10-99 个
¥2.00
≥100 个
¥1.95
品牌:Panasonic/松下 | 型号:XP0487800LS0(XP4878) | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SYM/对称类 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥3000 千克
¥0.40
品牌:AOS/美国万代 | 型号:AON3806 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:2 个 N 沟道(双) | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:8-SMD,扁平引线裸焊盘 | 材料:P-FET硅P沟道
≥1 个
¥0.50
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM6P41FE | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道
≥3000 个
¥0.55
品牌:Vishay/威世通 | 型号:SI1023X | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DUAL/配对管 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道
≥3000 个
¥0.55
品牌:Vishay/威世通 | 型号:V30324-T1-E3 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DUAL/配对管 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥3000 个
¥0.48
品牌:NEC/日本电气 | 型号:UPA611TA | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DUAL/配对管 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥3000 个
¥0.40
品牌:ROHM/罗姆 | 型号:UM6K1 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DUAL/配对管 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥3000 个
¥0.28
品牌:SILICON | 型号:SI3948DV | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥3000 个
¥0.65
品牌:AOS/美国万代 | 型号:AO8818 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:2 N 沟道(双)共漏 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
1-999 个
¥0.80
1000-2999 个
¥0.70
≥3000 个
¥0.65
品牌:AOS/美国万代 | 型号:AO7801 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:2 个 P 沟道(双) | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.55
品牌:NEC/日本电气 | 型号:upa1952te | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DUAL/配对管 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道
≥3000 个
¥0.95
品牌:NEC/日本电气 | 型号:3SK131 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:D-G双栅四极 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥3000 个
¥1.80
品牌:Sanyo/三洋 | 型号:CPH5611 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥3000 个
¥0.50
品牌:GT | 型号:GT4946BEY | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
品牌:ROHM/罗姆 | 型号:EM6K1 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥8000 个
¥0.35
品牌:NEC/日本电气 | 型号:3SK224 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:HF/高频(射频)放大 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏极电流ID:0.025A | 最大源漏电压VDSS:18V
≥3000 个
¥0.70
品牌:Vishay/威世通 | 型号:TN0205AD | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DUAL/配对管 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
≥3000 个
¥0.45
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM6N17FU | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏极电流ID:0.1A | 最大源漏电压VDSS:50V
≥3000 个
¥0.60
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:SSM5N15FE | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏极电流ID:0.1A | 最大源漏电压VDSS:30V
≥3000 个
¥0.60