品牌:AOS/美国万代 | 型号:AOD4189 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:AM/调幅 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道

品牌:AOS/美国万代 | 型号:AO4718 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道

品牌:AOS/美国万代 | 型号:AOT460 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:TO-220-3 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:AOS/美国万代 | 型号:AOT430 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-FBM/全桥组件 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:AOS/美国万代 | 型号:AOP608 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:AOS/美国万代 | 型号:AOT404 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:TO-220-3 | 材料:P-FET硅P沟道

品牌:AOS/美国万代 | 型号:AOP806 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:P-FET硅P沟道

品牌:AOS/美国万代 | 型号:AON3810 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:2 个 N 沟道（双） | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:8-SMD，扁平引线裸焊盘 | 材料:P-FET硅P沟道

品牌:AOS/美国万代 | 型号:AON3402 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:8-VDFN | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:AOS/美国万代 | 型号:AON3806 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:2 个 N 沟道（双） | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:8-SMD，扁平引线裸焊盘 | 材料:P-FET硅P沟道

品牌:CRI美国克里姆森 | 型号:C4420 2SC4420 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型

品牌:CSA美国CSA工业 | 型号:A1386 2SA1386/2SC3519 C3519 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型

品牌:Clevite美国 | 型号:A1205 2SA1205 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型

品牌:Calogic美国 | 型号:D1027 2SD1027 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型

品牌:CEN美国中央半导体 | 型号:2SC4235 C4235 C4706 2SC4706 C4138 2SC4138 D92-03 D | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:HA/行输出级 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:MES金属半导体

品牌:Clevite美国 | 型号:C3210 2SC3210 2SC3012 C3012 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:耗尽型

品牌:BEN美国本迪克斯 | 型号:D1399 2SD1399 2SD1396 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型

品牌:APT美国先进功率 | 型号:D1399 2SD1399 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型

品牌:CEN美国中央半导体 | 型号:C4059 2SC4059 2SC4058 2SC4232 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型