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  1. 拆机mos
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    • 场效应管 K2391

      品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:2SK2391 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 20A:100V

    • ≥100 个

      ￥0.60

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    • 场效应管 K2364

      品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SK2364 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 8A:500V

    • ≥100 个

      ￥0.80

    • 询 价

    • 场效应管 K2341

      品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SK2341 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 11A:250V

    • ≥100 个

      ￥0.40

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    • 场效应管 K2333

      品牌:SHINDENGEN/新电元 | 型号:2SK2333 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 6A:700V

    • ≥100 个

      ￥0.80

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    • 场效应管 K2139

      品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SK2139 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 5A:600V

    • ≥100 个

      ￥0.80

    • 询 价

    • 场效应管 K2101

      品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK2101 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 6A:800V

    • ≥100 个

      ￥0.80

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    • 场效应管 K2098

      品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK2098 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 20A:150V

    • ≥100 个

      ￥0.60

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    • 场效应管 K2050

      品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK2050 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 30A:100V

    • ≥100 个

      ￥0.80

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    • 场效应 K1188

      品牌:SAK日本三肯 | 型号:2SK1188 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

    • ≥100 个

      ￥1.00

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    • 场效应管10N120BN

      品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:10N120BN | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插

    • ≥100 个

      ￥2.00

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    • 场效应管 K2021

      品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK2021 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 5A:500V

    • ≥100 个

      ￥0.60

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    • 场效应管 K2003

      品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK2003 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 4A:600V

    • ≥100 个

      ￥0.70

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    • 场效应管 K1995

      品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SK1995 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 3A:900V

    • ≥100 个

      ￥0.60

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    • 场效应管 K1985

      品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK1985 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 5A:900V

    • ≥100 个

      ￥0.80

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    • 场效应管 K1981

      品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK1981 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 10A:500V

    • ≥100 个

      ￥0.80

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    • 场效应管 K1822

      品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK1822 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 20:60

    • ≥100 个

      ￥0.40

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    • 场效应管 K1818

      品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK1818 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 20A:250V

    • ≥100 个

      ￥0.40

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    • 场效应管 K1805

      品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:2SK1805 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 7A:500V

    • ≥100 个

      ￥0.70

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    • 场效应管 K1808

      品牌:Hitachi/日立 | 型号:2SK1808 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 4A:900V

    • ≥100 个

      ￥0.80

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    • 场效应管 K1643

      品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:2SK1643 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 5A:900V

    • ≥100 个

      ￥0.80

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