应用范围:功率 | 品牌:Toshiba/东芝 | 型号:GT50J102 GT50J101 | 材料:锗(Ge) | 封装形式:TO-3PL

品牌:进口拆机 | 型号:IRFBC40 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | **:**

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFP048 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:IGBT绝缘栅比极 | 最大漏极电流:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:. | 低频跨导:.

类型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:GT15Q101 | 最大漏极电流:，，，， | 封装外形:SP/特殊外形 | 开启电压:，，，，， | 材料:IGBT绝缘栅比极 | 沟道类型:N沟道 | 种类:结型(JFET) | 夹断电压:，，，， | 导电方式:耗尽型 | 低频噪声系数:，，， | 极间电容:，，，，， | 最大耗散功率:，，，，

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:K1117 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT绝缘栅比极 | 最大漏极电流:。 | 开启电压:。 | 夹断电压:。 | 低频噪声系数:。 | 极间电容:。 | 最大耗散功率:。

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:5N120，5N120BND | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道

类型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQA38N30 | 用途:L/功率放大 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 开启电压:. | 材料:IGBT绝缘栅比极 | 沟道类型:N沟道 | 种类:结型(JFET) | 夹断电压:. | 导电方式:耗尽型 | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.

品牌:进口 | 型号:K15T60 15T60 15A600V | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:耗尽型

应用范围:复合 | 品牌:Toshiba/东芝 | 型号:三四五六七端稳压IC | 材料:硅(Si) | 封装形式:TO220/TO220FTO-3P/TO-247

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:IRF840B | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:Mitsubishi/三菱 | 型号:FS3KM-18 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SP/特殊外形 | 材料:IGBT绝缘栅比极

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:GT50J322，GT50J327 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:50 | 开启电压:1000 | 夹断电压:1000 | 低频噪声系数:35 | 极间电容:35 | 低频跨导:35 | 最大耗散功率:280

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFP250N | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT绝缘栅比极 | 类型:其他IC | 最大漏极电流:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 开启电压:，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 夹断电压:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 低频噪声系数:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 极间电容:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 最大耗散功率:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， | 低频跨导:，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，

品牌:IR/国际整流器 | 型号:G20N50C | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 | 材料:IGBT绝缘栅比极 | 封装形式:TO-247 | 应用范围:功率

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:GT15J101 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:N-FET硅N沟道

类型:电源模块 | 品牌:FUJI/富士通 | 型号:1MBH30D-060 | 封装:TO-3PL | 批号:+5 | 产品性质:热销 | 营销方式:现货 | 导电类型:双极型 | 处理信号:模拟信号 | 集成程度:小规模 | 规格尺寸:1 | 工作温度:-40~125 | 静态功耗:200 | 制作工艺:半导体集成