类型:其他IC | 品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFB4110 | 功率:-- | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装:TO-220 | 批号:--

应用范围:放大 | 品牌:长电 | 型号:CJ2305 | 材料:硅(Si) | 封装形式:贴片型 | 集电极最大耗散功率PCM:1.7 | 击穿电压VCBO:8 | 结构:点接触型

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:15N06 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 跨导:**** | 开启电压:15 | 夹断电压:6 | 低频噪声系数:/ | 极间电容:*

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:K2049 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:CC/恒流 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 最大漏极电流:57 | 跨导:7 | 开启电压:52 | 夹断电压:25 | 低频噪声系数:** | 极间电容:****

品牌:IRF540 | 型号:IRF540 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:TO220 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | --:--

品牌:IRF540N | 型号:IRF540N | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:TO220 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | --:--

品牌:IRF530 | 型号:IRF530 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:TO220 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | --:--

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFS4410 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFB4227 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 最大漏极电流:1 | 低频噪声系数:1 | 极间电容:1

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFB3507 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:Federick美国 | 型号:FQP50N06 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:0.1 | 开启电压:2 | 夹断电压:20 | 低频噪声系数:0 | 极间电容:500 | 最大耗散功率:1

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFB4227 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:VAL德国凡尔伏 | 型号:80N75 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:CC/恒流 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 跨导:11 | 开启电压:84 | 夹断电压:60 | 低频噪声系数:* | 极间电容:**

品牌:Teledyne美德 | 型号:75229P | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:DC/直流 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 跨导:*** | 开启电压:260 | 夹断电压:30 | 极间电容:*

品牌:中性 | 型号:8205A | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MOS-HBM/半桥组件 | 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料:GaAS-FET砷化镓 | 最大漏极电流:5 | 低频噪声系数:5 | 低频跨导:5

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFB31N20 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MAP/匹配对管 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF9Z34N | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:5 | 低频噪声系数:5 | 低频跨导:5