品牌:进口拆机 | 型号:IRF730 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 最大漏极电流:+- | 跨导:- | 开启电压:+- | 夹断电压:+- | 低频噪声系数:+- | 极间电容:+- | 最大耗散功率:+-

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF830 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFP460 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:20000 | 低频噪声系数:28 | 极间电容:0.2

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:IRF630 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:MES金属半导体 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.

品牌:IR/国际整流器 | 型号:拆机场效应管IRF730 IRF740 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR | 型号:IRF740 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:IRF740 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:9.3a | 跨导:vgs | 开启电压:600 | 夹断电压:900 | 低频噪声系数:0.25 | 极间电容:. | 最大耗散功率:82w

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF740.IRF730 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:MES金属半导体 | 最大漏极电流:. | 跨导:. | 开启电压:. | 夹断电压:. | 低频噪声系数:. | 极间电容:. | 最大耗散功率:.

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF730 IRF730N IRF740 IRF740N | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF740，IRF730，IRF630 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:SENSEFET电流敏感 | 最大漏极电流:010 | 跨导:0 | 开启电压:01 | 夹断电压:010 | 低频噪声系数:010 | 极间电容:10 | 最大耗散功率:01

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF730B | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金属半导体

类型:其他IC | 品牌:IR/VISHAY | 型号:IRF730 | 功率:参考规格书 | 用途:CC/恒流 | 封装:TO-220 | 批号:NEW

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF730 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MIN/微型 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷 | 跨导:10 | 开启电压:600 | 夹断电压:10

品牌:长电 | 型号:IRF730 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷 | 最大漏极电流:5500 | 跨导:详见规格书 | 开启电压:400 | 夹断电压:详见规格书 | 低频噪声系数:详见规格书 | 极间电容:详见规格书 | 最大耗散功率:详见规格书

品牌:Vishay/威世通 | 型号:IRF730PBF | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 类型:其他IC | 批号:11+ | 封装:TO-220

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF730PBF | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF730B 场效应管 现货新品 | 沟道类型:其他 | 类型:存储器 | 批号:2010 | 封装:TO220

品牌:Vishay/威世通 | 型号:IRF730PBF | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:1 | 跨导:1 | 开启电压:1 | 夹断电压:1 | 低频噪声系数:1 | 极间电容:1 | 最大耗散功率:1