mos场效应_mos场效应批发价格_mos场效应代理/供应商

- KSC9435BDY KSC9435 9435BDY 9435B SOP-8 MOS管场效应
  
  品牌:TRANSISTO | 型号:KSC9435BDY | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MIX/混频 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道
- 2500-24999 个
  
  ￥0.45
- 25000-249999 个
  
  ￥0.42
- ≥250000 个
  
  ￥0.39
- 询价
- IR2235S IR2235STPBF 场效应MOS管 SOP16
  
  类型:其他IC | 品牌:IR/国际整流器 | 型号:IR2235S | 功率:/ | 封装:SOP16 | 批号:最新
- ≥1 PCS
  
  ￥4.50
- 询价
- 场效应70N06 WFP70N06 TO-220 70A 60V
- ≥100 个
  
  ￥1.20
- 询价
- 三极管场效应IRF9540 F9540
  
  品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF9540 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MOS-FBM/全桥组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷
- 100-499 个
  
  ￥1.50
- 500-999 个
  
  ￥1.20
- ≥1000 个
  
  ￥1.00
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- 进口FDP3652场效应
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FDP3652 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
- 1000-1999 个
  
  ￥0.80
- ≥2000 个
  
  ￥0.70
- 询价
- 2SK794 K794 TO-3P场效应管 MOS管散新
  
  品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:2SK794 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-FBM/全桥组件 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道
- 50-99 个
  
  ￥4.00
- 100-499 个
  
  ￥3.50
- ≥500 个
  
  ￥3.00
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- 场效应管 AO3400 N沟道增强型 MOS管集成电路
  
  品牌:AO | 型号:AO3400 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道
  
  相产产品：集成电路 n沟道mos管 n沟道场效应管
- ≥10 个
  
  ￥0.10
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- 2MI50F-050 进口FUJI 50A500V MOS场效应模块
  
  种类:MOS模块 | 品牌:FUJI | 型号:2MI50F-050
  
  相产产品： mos模块
- ≥1 PCS
  
  ￥1.00
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- IRF4905 55V74A MOS场效应管 IR进口
  
  品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF4905PBF IRF4905 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
- ≥1 个
  
  ￥4.00
- 询价
- 30CPT100 IR系列MOS管场效应管
  
  品牌:IR/国际整流器 | 型号:30CPT100 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:GaAS-FET砷化镓
- 10-199 个
  
  ￥7.50
- 200-1999 个
  
  ￥7.00
- ≥2000 个
  
  ￥6.50
- 询价
- 进口SUP90N08-04场效应
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型号:90N08-04 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:S/开关 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道
- 1000-4999 个
  
  ￥1.00
- ≥5000 个
  
  ￥0.90
- 询价
- 进口P90NF03L 场效应
  
  品牌:ST/意法 | 型号:P90NF03L | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金属半导体
- 1000-4999 个
  
  ￥0.40
- ≥5000 个
  
  ￥0.35
- 询价
- 进口P80NF10 场效应
  
  品牌:ST/意法 | 型号:P80NF10 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)
- 1000-4999 个
  
  ￥1.20
- ≥5000 个
  
  ￥1.10
- 询价
- 进口F75652场效应
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:F75652 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:VHF/甚高频 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道
- 1000-4999 个
  
  ￥2.50
- ≥5000 个
  
  ￥2.40
- 询价
- 进口STP80NF03-6 场效应
  
  品牌:ST/意法 | 型号:STP80NF03-6 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MOS-ARR/陈列组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
- 1000-4999 个
  
  ￥0.60
- ≥5000 个
  
  ￥0.55
- 询价
- 场效应UTC2N60L/2N60L/2N60，全系列UTC
  
  品牌:UTC/友顺 | 型号:UTC2N60L | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
- ≥100 个
  
  ￥0.60
- 询价
- NTMD4N03R2G E4N03 SOP8 场效应MOS管30V 4A ON安森美
  
  类型:其他IC | 品牌:ON/安森美 | 型号:NTMD4N03R2G | 用途:DC/直流 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型
- ≥2500 个
  
  ￥1.50
- 询价
- K10A60D 场效应 10A600V NPN
  
  品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:K10A60D | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 类型:其他IC | 功率:/ | 批号:12+
- ≥1 个
  
  ￥0.10
- 询价
- 进口场效应管IRF530 mos管IRF530 100V14A
  
  品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRF530 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
- ≥100 个
  
  ￥0.25
- 询价
- IRG4PH50K IR系列MOS管场效应管
  
  品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRG4PH50K | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
- 10-199 个
  
  ￥15.00
- 200-1999 个
  
  ￥11.00
- ≥2000 个
  
  ￥8.90
- 询价

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