品牌:Samsung/三星 | 型号:11N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 最大漏极电流:? | 跨导:? | 开启电压:11A，600V， | 夹断电压:? | 低频噪声系数:? | 极间电容:? | 最大耗散功率:?

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:G20N60B3D | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 封装形式:直插型 | 应用范围:开关

品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:6R160C6 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

类型:其他IC | 品牌:英飞凌，先童 | 型号:20N60S5 | 最大漏极电流:，，， | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 开启电压:，，，，，，，，，，，， | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 沟道类型:N沟道 | 种类:结型(JFET) | 夹断电压:，，，，，，，，，， | 导电方式:耗尽型 | 低频噪声系数:，，，， | 极间电容:，，， | 最大耗散功率:，，，， | 低频跨导:，，，，

品牌:ST/意法 | 型号:SD20N60 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MOS-HBM/半桥组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷 | 最大漏极电流:6 | 跨导:6 | 开启电压:6 | 夹断电压:6 | 低频噪声系数:6 | 极间电容:6 | 最大耗散功率:6

应用范围:开关 | 品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:20N60 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型

类型:通信IC | 品牌:N\A | 型号:20N60 | 封装:TO-220 | 批号:拆机.散新

类型:通信IC | 品牌:N/A | 型号:K20D60U | 封装:TO-220 | 批号:拆机.散新

类型:通信IC | 品牌:N/A | 型号:K20A60U | 封装:TO-220 | 批号:拆机.散新

品牌:ST/意法 | 型号:STW20NM60 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MOS-HBM/半桥组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷 | 最大漏极电流:5 | 跨导:5 | 开启电压:5 | 夹断电压:5 | 低频噪声系数:5 | 极间电容:5 | 最大耗散功率:5

类型:通信IC | 品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:20N60S5 | 封装:TO-220 | 批号:拆机.散新

品牌:英飞凌.ST.ON | 型号:20N60.10N60 | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 产品性质:热销 | 集电极最大耗散功率PCM:. | 功率特性:大功率 | 营销方式:现货 | 集电极最大允许电流ICM:. | 封装形式:TO-220 | 极性:NPN型 | 截止频率fT:. | 结构:合金型 | 封装材料:金属封装 | 频率特性:高频 | 应用范围:功率

品牌:各种进口名牌厂家 | 型号:STW20NM60 | 种类:结型 | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型

应用范围:开关 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:HG20N60B3 | 材料:硅(Si) | 封装形式:TO-247