• CBB22电容 ,高压CBB薄膜电容 630V/103J CBB81 222/2KV

      品牌:国产 | 型号:KNSCHA,DAIN,SR,TC,CT | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:安规 | 外形:长方形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:微调 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:±30(%) | 耐压值:250(V) | 等效串联电阻(ESR):CBB22电容,高压CBB薄膜电容630V/103J CBB81 222/2KV(mΩ) | 损耗:CBB22电容,高压CBB薄膜电容630V/103J CBB81 222/2KV | 额定电压:CBB22电容,高压CBB薄膜电容630V/103J CBB81 222/2KV(V) | 绝缘电阻:CBB22电容,高压CBB薄膜电容630V/103J CBB81 222/2KV(mΩ) | 温度系数:CBB22电容,高压CBB薄膜电容630V/103J CBB81 222/2KV | 标称容量:CBB22电容,高压CBB薄膜电容630V/103J CBB81 222/2KV

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    • CBB22 400V224J 聚丙烯电容_LED专用电容_阻容降压电容_耐高温

      品牌:JURCC/艾江 X2安规电容器 | 型号:125K310VAC P22.5 L20 E3-1(25*8.4*20)红色JURCC | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:耦合 | 外形:长方形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±10(%) | 耐压值:275(V) | 等效串联电阻(ESR):C>0.3uF时R.C>2000S C≤0.3uF时R>6000MΩ(100VDC,1分钟)(mΩ) | 损耗:Dissipation factor: ≤0.1%(1KHz 1.0V 20℃), ≤0.3%( | 额定电压:275VAC,305VAC,310VAC(V) | 绝缘电阻:Insulation resistance:C>0.3uF时R.C>2000S C≤0.3uF时R>(mΩ) | 温度系数:40/105/21(VDE,ENEC, CQC); 40/110/56/B (UL&CUL) | 标称容量:0.0022uF – 4.7uF

    • 1000-99999 PCS

      ¥0.05

    • 100000-35999999 PCS

      ¥0.04

    • ≥36000000 PCS

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    • 金属膜电容 CBB81 103/2KV CBB22 400V 334J 400V0.33UF

      品牌:国产 | 型号:KNSCHA,DAIN,SR,TC,CT | 介质材料:金属化纸介 | 应用范围:高频消振 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 | 频率特性:超高频 | 调节方式:微调 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:-20~80(%) | 耐压值:630(V) | 等效串联电阻(ESR):金属膜电容CBB81 103/2KV CBB22 400V 334J 400V0.33UF(mΩ) | 标称容量:金属膜电容CBB81 103/2KV CBB22 400V 334J 400V0.33UF(uF) | 损耗:金属膜电容CBB81 103/2KV CBB22 400V 334J 400V0.33UF | 额定电压:金属膜电容CBB81 103/2KV CBB22 400V 334J 400V0.33UF(V) | 绝缘电阻:金属膜电容CBB81 103/2KV CBB22 400V 334J 400V0.33UF(mΩ) | 温度系数:金属膜电容CBB81 103/2KV CBB22 400V 334J 400V0.33UF

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