品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC3757 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:5.5V/0.047-1F | 介质材料:法拉(超级) | 应用范围:中和 | 外形:方块状 | 功率特性:中功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±0.5(%) | 耐压值:10(V) | 标称容量:0.047-1F(uF) | 损耗:0.01 | 额定电压:5.5V(V)
≥1000 个
¥4.50
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC2719 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC3736 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC2412KT246R | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:5.5V0.47F | 介质材料:法拉(超级) | 应用范围:旁路 | 外形:圆柱形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:±0.002(%) | 耐压值:2.5(V) | 等效串联电阻(ESR):1(mΩ) | 标称容量:1(uF) | 损耗:1 | 额定电压:1(V) | 绝缘电阻:1(mΩ) | 温度系数:1
≥10 PCS
¥1.00
品牌:NEC/日本电气 | 型号:6.3V5600UF | 介质材料:铝电解 | 应用范围:低压 | 外形:圆柱形 | 功率特性:小功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±20(%) | 耐压值:6.3(V)
≥100 个
¥0.70