品牌:CSD创硕达 | 型号:MEB | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:耦合 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±10(%) | 耐压值:1000(V) | 损耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 额定电压:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc(V) | 标称容量:0. 001μF~10μF
≥1000 PCS
¥0.35
品牌:SR,山锐 | 型号:CL21X 超小型聚酯电容 | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:耦合 | 外形:方块状 | 功率特性:中功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:100(V) | 损耗:≤1.0%(20℃,1kHz) | 额定电压:100(V) | 温度系数:-40~+85度 | 标称容量:0.001~1.0
5000-49999 PCS
¥0.05
50000-99999 PCS
¥0.03
≥100000 PCS
¥0.02
品牌:CSD创硕达 | 型号:MEB | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:耦合 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±10(%) | 耐压值:1000(V) | 标称容量:0. 001μF~10μF(uF) | 损耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 额定电压:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc(V)
≥1000 PCS
¥0.35
品牌:CSD创硕达 | 型号:MEB | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:耦合 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±10(%) | 耐压值:1000(V) | 标称容量:0. 001μF~10μF(uF) | 损耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 额定电压:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc(V)
≥1000 PCS
¥0.35
品牌:CSD创硕达 | 型号:MEB | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:耦合 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±10(%) | 耐压值:1000(V) | 标称容量:0. 001μF~10μF(uF) | 损耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 额定电压:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc(V)
≥1000 PCS
¥0.35
品牌:CSD创硕达 | 型号:MEB | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:耦合 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±10(%) | 耐压值:1000(V) | 标称容量:0. 001μF~10μF(uF) | 损耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 额定电压:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc(V) | 绝缘电阻:7500(mΩ) | 温度系数:-55℃~105℃ | 最佳使用温度:-25℃~95℃
≥1000 PCS
¥0.35
品牌:CSD创硕达 | 型号:MEB | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:耦合 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±10(%) | 耐压值:1000(V) | 标称容量:0. 001μF~10μF(uF) | 损耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 额定电压:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc(V)
≥1000 PCS
¥0.35