产品类型:其他 | 是否进口:是 | 品牌:NEC/日本电气 | 型号:RD9.1M-T1B | 材料:锗(Ge) | 封装形式:Sot-23 | 特色标志:现货 | 应用范围:功率

类型:通信IC | 品牌:NEC/日本电气 | 型号:TEESVA0G107M8R | 封装:钽电容 | 批号:13+

类型:通信IC | 品牌:NEC/日本电气 | 型号:电解电容25V220UF | 电源电压:1 | 功率:1 | 用途:电视机 | 封装:DIP | 批号:14+

品牌:NEC/日本电气 | 型号:TEESVP1A475M8R | 介质材料:钽电解 | 应用范围:滤波 | 外形:长方形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±20（%） | 耐压值:10（V） | 等效串联电阻(ESR):1（mΩ） | 损耗:零 | 额定电压:10（V） | 绝缘电阻:1（mΩ） | 温度系数:1 | 标称容量:4.7

品牌:NEC/日本电气 | 型号:TEESVB30J107M8R | 介质材料:钽电解 | 应用范围:滤波 | 外形:长方形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±20（%） | 耐压值:6.3（V） | 等效串联电阻(ESR):1（mΩ） | 损耗:0 | 额定电压:6.3（V） | 绝缘电阻:1（mΩ） | 温度系数:-85+125 | 标称容量:100

品牌:NEC/日本电气 | 型号:684J 63v | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:高压 | 外形:方块状 | 功率特性:中功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:63（V） | 损耗:0.1 | 额定电压:63（V） | 绝缘电阻:0.1（mΩ） | 温度系数:85 | 标称容量:0.68

类型:通信IC | 品牌:NEC/日本电气 | 型号:TEESVP1A105M8R | 封装:钽电容 | 批号:11+

应用范围:其他 | 品牌:NEC/日本电气 | 型号:EB2-3NU | 封装形式:XXX

品牌:NEC/日本电气 | 型号:5.5V 334f | 介质材料:金属化纸介 | 应用范围:低压 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:-20~50（%） | 耐压值:6.3（V） | 等效串联电阻(ESR):/（mΩ） | 标称容量:/（uF） | 损耗:/ | 额定电压:/（V）

品牌:NEC/日本电气 | 型号:5.5V 224 | 介质材料:金属化纸介 | 应用范围:低压 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:-20~50（%） | 耐压值:6.3（V） | 等效串联电阻(ESR):/（mΩ） | 标称容量:/（uF） | 损耗:/ | 额定电压:/（V）

类型:其他IC | 品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SB546 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 最大漏极电流:1 | 跨导:1 | 封装外形:SP/特殊外形 | 开启电压:1 | 材料:SIT静电感应 | 沟道类型:N沟道 | 种类:结型(JFET) | 夹断电压:1 | 导电方式:增强型 | 低频噪声系数:1 | 极间电容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SA1010 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 最大漏极电流:1 | 跨导:1 | 开启电压:1 | 夹断电压:1 | 低频噪声系数:1 | 极间电容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:NEC/日本电气 | 型号:5.5V104 | 介质材料:金属化纸介 | 应用范围:低压 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:-20~50（%） | 耐压值:6.3（V）

品牌:NEC/日本电气 | 型号:5.5V224 | 介质材料:金属化纸介 | 应用范围:低压 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:-20~50（%）

品牌:NEC/日本电气 | 型号:5.5V1.0F | 介质材料:钽电解 | 应用范围:旁路 | 外形:叠片形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:超高频 | 调节方式:微调 | 引线类型:轴向引出线 | 允许偏差:±0.002（%） | 耐压值:1000（V） | 等效串联电阻(ESR):1（mΩ） | 标称容量:1（uF） | 损耗:1 | 额定电压:1（V） | 绝缘电阻:1（mΩ） | 温度系数:1

品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SJ449 | 控制方式:其他 | 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 | 最大漏极电流:标准 | 材料:IGBT绝缘栅比极 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 沟道类型:P沟道 | 种类:结型(JFET) | 导电方式:增强型 | 低频噪声系数:标准 | 极间电容:标准

品牌:NEC/日本电气 | 型号:FMC0H104ZFTP18 | 介质材料:法拉(超级) | 应用范围:旁路 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 | 频率特性:超高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±0.1（%） | 耐压值:5.5（V） | 标称容量:100000（uF） | 额定电压:5.5（V） | 温度系数:70

品牌:NEC/日本电气 | 型号:FM0H224ZFTP18 | 介质材料:法拉(超级) | 应用范围:旁路 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 | 频率特性:超高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±5（%） | 耐压值:5.5（V） | 标称容量:2200000（uF） | 额定电压:5.5（V） | 温度系数:70

品牌:NEC/日本电气 | 型号:FM0H473ZFTP18 | 介质材料:法拉(超级) | 应用范围:旁路 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 | 频率特性:超高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±1（%） | 耐压值:5.5（V） | 标称容量:470000（uF） | 额定电压:5.5（V） | 温度系数:70

品牌:NEC/日本电气 | 型号:TEESVB21A336M8R | 介质材料:钽电解 | 应用范围:旁路 | 外形:方块状 | 功率特性:中功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±20（%） | 耐压值:10（V） | 等效串联电阻(ESR):-（mΩ） | 标称容量:33（uF） | 损耗:- | 额定电压:6（V） | 绝缘电阻:-（mΩ） | 温度系数:- | 颜色:黑