品牌:FUJI/富士通 | 型号:2SK3779-01 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | 最大漏极电流:5 | 低频噪声系数:5 | 极间电容:5

品牌:CJ | 型号:2N7002 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:MES金属半导体

品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC3617 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC2373 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:2SK1112 /K1112 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:C-MIC/电容话筒专用 | 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料:GE-P-FET锗P沟道 | 封装形式:To-252 | 特色标志:现货 | 应用范围:功率

品牌:Schneider/施耐德 | 型号:XS1-M12PA370P2 | 类型:电容式接近开关 | 反应频率:BN | 额定电压:FHJ（V） | 额定电流:DFH（A） | 检测距离:DSF（mm） | 产品认证:CE | 加工定制:是

品牌:瑞士佳乐 | 型号:IA12DSF02P0 | 类型:电容式接近开关 | 反应频率:5000 | 额定电压:230（V） | 额定电流:5-65（A） | 检测距离:2-25（mm） | 产品认证:CE | 加工定制:是