• hotIGBT无感吸收保护轴向电容器 DIY设计激光打标

      品牌:胜美达 | 型号:IGBT | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:高压 | 外形:圆柱形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:轴向引出线 | 允许偏差:±0.05(%) | 等效串联电阻(ESR):4000(mΩ) | 标称容量:5±5%(uF) | 损耗:0.5 | 额定电压:450(V) | 绝缘电阻:3000(mΩ) | 温度系数:-25~70℃ | 容量(UF):0.47uf

    • 1-2999 个

      ¥5.00

    • ≥3000 个

      ¥4.50

    • 询 价
    • MLC-S -0.47UF1200V 卧式 无感吸收保护电容器(十制造)

      品牌:MLC-明路 | 型号:MLC-S | 介质材料:金属化纸介 | 应用范围:高频消振 | 外形:长方形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:1000(V) | 等效串联电阻(ESR):7(mΩ) | 标称容量:0.1-0.47(uF) | 损耗:0.0008 | 额定电压:1500(V) | 绝缘电阻:5000(mΩ) | 温度系数:-40_85

    • ≥1 PCS

      ¥10.00

    • 询 价
    • MLC-S -0.22UF1600V 卧式 无感吸收保护电容器(十制造)

      品牌:MLC-明路 | 型号:MLC-S | 介质材料:金属化纸介 | 应用范围:高频消振 | 外形:长方形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:1000(V) | 等效串联电阻(ESR):7(mΩ) | 标称容量:0.1-0.47(uF) | 损耗:0.0008 | 额定电压:1500(V) | 绝缘电阻:5000(mΩ) | 温度系数:-40_85

    • ≥1 PCS

      ¥10.00

    • 询 价
    • 电镀电源用吸收电容器CBB15 0.47UF 1200VDC

      品牌:赛福 | 型号:电镀电源用吸收电容器CBB15 0.47UF 1200VDC | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:中和 | 外形:圆柱形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:1600(V) | 等效串联电阻(ESR):≥3000S(mΩ) | 标称容量:0.47--1--2--3--40(uF) | 损耗:tgδ≤0.002 | 额定电压:1200(V) | 绝缘电阻:≥3000S(mΩ) | 温度系数:-25℃+75℃

    • ≥50 PCS

      ¥7.50

    • 询 价
    • MLC-SB 0.1UF1600V吸收电容器 轴向无感尖峰保护电容器

      品牌:广东明路 | 型号:MLC-SB | 介质材料:金属化纸介 | 应用范围:滤波 | 外形:圆片形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:轴向引出线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:1000(V) | 等效串联电阻(ESR):7(mΩ) | 标称容量:0.1-5(uF) | 损耗:0.0002 | 额定电压:1500(V) | 绝缘电阻:5000(mΩ) | 温度系数:-40_85

    • 1-999 PCS

      ¥6.00

    • ≥1000 PCS

      ¥4.00

    • 询 价
    • MKP-S 0.47UF2000V无感吸收保护电容器(十制造)

      品牌:BR | 型号:MLC-S | 介质材料:金属化纸介 | 应用范围:高频消振 | 外形:长方形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:1000(V) | 等效串联电阻(ESR):7(mΩ) | 损耗:0.0008 | 额定电压:1500(V) | 绝缘电阻:5000(mΩ) | 温度系数:-40_85 | 标称容量:0.1-0.47

    • ≥10 PCS

      ¥10.00

    • 询 价
    • MKP-S 1.2UF1200V无感吸收保护电容器(十制造)

      品牌:BR | 型号:MLC-S | 介质材料:金属化纸介 | 应用范围:高频消振 | 外形:长方形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:1000(V) | 等效串联电阻(ESR):7(mΩ) | 损耗:0.0008 | 额定电压:1500(V) | 绝缘电阻:5000(mΩ) | 温度系数:-40_85 | 标称容量:0.1-0.47

    • ≥10 PCS

      ¥10.00

    • 询 价
    • CBB15/16 高频脉冲电流吸收电容器

      品牌:赛福 | 型号:电力电子电容器 | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:滤波 | 外形:圆柱形 | 功率特性:小功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:1000(V) | 等效串联电阻(ESR):4000(mΩ) | 标称容量:40(uF) | 损耗:tgδ≤20*10-4(100Hz,1Vrms) | 额定电压:1250(V) | 绝缘电阻:≥3000S(MΩ·µF)(mΩ) | 温度系数:40/70/21或40/85/21

    • ≥50 PCS

      ¥18.00

    • 询 价
    • CBB16 500V 5uF 高频吸收保护电容器

      品牌:赛福电容器 | 型号:电力电子电容器 | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:耦合 | 外形:圆柱形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:1600(V) | 等效串联电阻(ESR):5800(mΩ) | 标称容量:5(uF) | 损耗:tgδ≤0.002(50Hz~100Hz) | 额定电压:500(V) | 绝缘电阻:≥3000S(mΩ) | 温度系数:40/70/21或40/85/21

    • ≥10 PCS

      ¥35.00

    • 询 价
    • CBB16 500V 4uF 高频吸收保护电容器

      品牌:赛福电容器 | 型号:电力电子电容器 | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:耦合 | 外形:圆柱形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:1600(V) | 等效串联电阻(ESR):5800(mΩ) | 标称容量:4(uF) | 损耗:tgδ≤0.002(50Hz~100Hz) | 额定电压:500(V) | 绝缘电阻:≥3000S(mΩ) | 温度系数:40/70/21或40/85/21 | 属性:属性值

    • ≥100 PCS

      ¥22.00

    • 询 价
    • IGBT尖峰吸收保护电容器 20UF 1400VDC

      品牌:赛福 | 型号:CBB15/16 | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:滤波 | 外形:方块状/圆柱型 | 功率特性:小功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:可变 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:2000(V) | 等效串联电阻(ESR):≥3000S(MΩ•μF)(mΩ) | 标称容量:0.47uf-40uf(uF) | 损耗:≤100×10-4 | 额定电压:1200v(V) | 绝缘电阻:20(mΩ) | 温度系数:40/85/21

    • ≥100 PCS

      ¥20.00

    • 询 价
    • IGBT尖峰吸收保护电容器 20UF 1200VDC

      品牌:赛福 | 型号:CBB15/16 | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:滤波 | 外形:方块状/圆柱型 | 功率特性:小功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:可变 | 引线类型:径向引出线 | 允许偏差:±5(%) | 耐压值:2000(V) | 等效串联电阻(ESR):≥3000S(MΩ•μF)(mΩ) | 标称容量:0.47uf-40uf(uF) | 损耗:≤100×10-4 | 额定电压:1200v(V) | 绝缘电阻:20(mΩ) | 温度系数:40/85/21

    • ≥100 PCS

      ¥24.00

    • 询 价