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参数资料
| 型号： | CM100DU-24F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 1200V 100A F SER |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 100A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 39nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
CM100DU-24F
TRENCH GATE DESIGN DUAL IGBTMOD?
100 AMPERES/1200 VOLTS
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
200
160
T J = 25 O C
11
15
V GE = 20V
10 9.5
3
V GE = 15V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
5
4
T J = 25 ° C
120
9
2
3
I C = 200A
80
8. 5
2
I C = 100A
40
8
1
1
I C = 40A
0
0
1
2
3
4
0
0
40
80
120
160
200
0
0
6
8
10
12
14
16
18 20
CAPACITANCE VS. V CE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10 3
10 2
T J = 25 ° C
10 2
10 1
C IES
10 3
10 2
V CC = 600V
V GE = ± 15V
R G = 3.1 ?
T J = 125 ° C
INDUCTIVE LOAD
T D(OFF)
T F
T D(ON)
10 1
10 0
V GE = 0V
C OES
C RES
10 1
T R
10 0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 0
10 0
10 1
10 2
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
10 3
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
V CC = 600V
V GE = ± 15V
R G = 3.1 ?
T J = 25 ° C
INDUCTIVE LOAD
10 3
20
16
GATE CHARGE, V GE
I C = 100A
V CC = 400V
10 1
10 0
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT & FWDI)
10 -3 10 -2 10 -1 10 0
PER UNIT BASE
R TH(J-C) = 0.25 ° C/W (IGBT)
R TH(J-C) = 0.35 ° C/W (FWDI)
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 1
12
V CC = 600V
10 2
I RR
10 2
10 -1
10 -1
T RR
8
4
10 -2
10 -2
10 1
10 0
10 1
10 1
10 2
0
0
400
800
1200
1600
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -3
4
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
GATE CHARGE, Q G , (NC)
TIME, (S)
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| CM100DU-24H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM100DU-24H_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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