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参数资料
| 型号： | CM150TU-12F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD 6PAC 600V 150A F SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，150A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 150A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 41nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM150TU-12F
Trench Gate Design Six IGBTMOD ?
150 Amperes/600 Volts
COLLECTOR-EMITTER
COLLECTOR-EMITTER
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
300
240
11
T j = 25 o C 15
V GE = 20V
10
9.5
3
V GE = 15V
T j = 25 ° C
T j = 125 ° C
5
4
T j = 25 ° C
180
9
2
3
I C = 300A
120
60
8
8.5
1
2
1
I C = 150A
I C = 60A
7.5
0
0
1
2
3
4
0
0
60
120
180
240
300
0
0
6
8
10
12
14
16
18
20
10 3
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
T j = 25 ° C
10 2
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
CAPACITANCE VS. V CE
(TYPICAL)
C ies
10 3
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
t d(off)
10 2
10 1
10 2
t f
t d(on)
10 1
10 0
V GE = 0V
C oes
C res
10 1
t r
V CC = 300V
V GE = ± 15V
R G = 4.2 ?
T j = 125 ° C
Inductive Load
10 0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 0
10 0
10 1
10 2
10 3
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
10 2
(TYPICAL)
10 2
20
GATE CHARGE, V GE
10 1
10 -3
10 -2
(IGBT & FWDi)
10 -1
10 0
10 1
I rr
t rr
16
12
I C = 150A
V CC = 200V
V CC = 300V
10 0
Per Unit Base
R th(j-c) = 0.24 ° C/W (IGBT)
R th(j-c) = 0.47 ° C/W (FWDi)
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 1
10 1
10 -1
10 -1
8
V CC = 300V
V GE = ± 15V
R G = 4.2 ?
T j = 25 ° C
4
10 -2
10 -2
10 0
10 1
10 2
Inductive Load
10 0
10 3
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -3
4
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
GATE CHARGE, Q G , (nC)
TIME, (s)
4
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PDF描述 |
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| CM150TU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM150TU-12H_12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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