参数资料
型号: CM200DU-12F
厂商: Powerex Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD DUAL 600V 200A F SER
标准包装: 2
系列: IGBTMOD™
IGBT 类型: 沟道
配置: 半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.2V @ 15V,200A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 200A
电流 - 集电极截止(最大): 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 54nF @ 10V
功率 - 最大: 590W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
其它名称: 835-1081
CM200DU-12F-ND
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
CM200DU-12F
TRENCH GATE DESIGN DUAL IGBTMOD?
200 AMPERES/600 VOLTS
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS, T j = 25°C unless otherwise speci?ed
Characteristics
INPUT CAPACITANCE
OUTPUT CAPACITANCE
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
Symbol
C IES
C OES
C RES
Test Conditions
V CE = 10V, V GE = 0V
Min.
Typ.
Max.
54
3.6
2
Units
NF
NF
NF
INDUCTIVE
LOAD
SWITCH
TIMES
TURN-ON DELAY TIME
RISE TIME
TURN-OFF DELAY TIME
FALL TIME
T D(ON)
T R
T D(OFF)
T F
V CC = 300V, I C = 200A,
V GE1 = V GE2 = 15V,
R G = 3.1  ,
INDUCTIVE LOAD
120
100
350
250
NS
NS
NS
NS
DIODE REVERSE RECOVERY TIME**
DIODE REVERSE RECOVERY CHARGE**
T RR
Q RR
SWITCHING OPERATION
I E = 200A
3.8
150
NS
μ C
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS, T j = 25°C unless otherwise speci?ed
Characteristics
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE
Symbol
R TH(J-C) Q
Test Conditions
PER IGBT 1/2 MODULE, T C REFERENCE
Min.
Typ.
Max.
0.21
Units
°C/W
POINT PER OUTLINE DRAWING
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE
R TH(J-C) D
PER FWDI 1/2 MODULE, T C REFERENCE
0.35
°C/W
POINT PER OUTLINE DRAWING
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE
R TH(J-C) 'Q
PER IGBT 1/2 MODULE,
0.13
°C/W
T C REFERENCE POINT UNDER CHIP
CONTACT THERMAL RESISTANCE
R TH(C-F)
PER MODULE, THERMAL GREASE APPLIED
0.045
°C/W
** REPRESENTS CHARACTERISTICS OF THE ANTI-PARALLEL, EMITTER-TO-COLLECTOR FREE-WHEEL DIODE (FWDI).
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