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参数资料
| 型号： | CM200DY-24A |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 1200V 200A A SER |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3V @ 15V，200A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 35nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1340W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com
CM200DY-24A
Dual IGBTMOD? A-Series Module
200 Amperes/1200 Volts
Absolute Maximum Ratings, Tj = 25°C unless otherwise specified
Ratings
Junction Temperature
Storage Temperature
Collector-Emitter Voltage (G-E Short)
Gate-Emitter Voltage (C-E Short)
Collector Current (DC, TC = 86°C*)
Peak Collector Current
Emitter Current*** (TC = 25°C)
Peak Emitter Current***
Maximum Collector Dissipation (TC = 25°C*, Tj ≤ 150°C)
Mounting Torque, M5 Main Terminal
Mounting Torque, M6 Mounting
Weight
Isolation Voltage (Main Terminal to Baseplate, AC 1 min.)
Symbol
Tj
Tstg
VCES
VGES
IC
ICM
IE
IEM
PC
—
—
—
VISO
CM200DY-24A
–40 to 150
–40 to 125
1200
±20
200
400**
200
400**
1340
30
40
310
2500
Units
°C
°C
Volts
Volts
Amperes
Amperes
Amperes
Amperes
Watts
in-lb
in-lb
Grams
Volts
Static Electrical Characteristics, Tj = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Collector-Cutoff Current
Gate Leakage Current IGES
Symbol
ICES
VGE = VGES, VCE = 0V
Test Conditions
VCE = VCES, VGE = 0V
—
Min.
—
—
Typ.
—
0.5
Max.
1.0
μA
Units
mA
Gate-Emitter Threshold Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Total Gate Charge
Emitter-Collector Voltage**
VGE(th)
VCE(sat)
QG
VEC
IC = 20mA, VCE = 10V
IC = 200A, VGE = 15V, Tj = 25°C
IC = 200A, VGE = 15V, Tj = 125°C
VCC = 600V, IC = 200A, VGE = 15V
IE = 200A, VGE = 0V
6.0
—
—
—
—
7.0
2.1
2.4
1000
—
8.0
3.0
—
—
3.8
Volts
Volts
Volts
nC
Volts
Dynamic Electrical Characteristics, Tj = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Symbol
Cies
Coes
Cres
Test Conditions
VCE = 10V, VGE = 0V
Min.
—
—
—
Typ.
—
—
—
Max.
35
3
0.68
Units
nf
nf
nf
Inductive
Turn-on Delay Time
td(on)
—
—
130
ns
Load
Switch
Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
tr
td(off)
tf
VCC = 600V, IC = 200A,
VGE1 = VGE2 = 15V, RG = 1.6 Ω ,
Inductive Load
—
—
—
—
—
—
100
450
350
ns
ns
ns
Diode Reverse Recovery Time***
Diode Reverse Recovery Charge***
trr
Qrr
Switching Operation,
IE = 200A
—
—
—
9.0
150
—
ns
μC
*TC, Tf measured point is just under the chips.
**Pulse width and repetition rate should be such that device junction temperature (Tj) does not exceed Tj(max) rating.
***Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
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