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参数资料
| 型号： | CM200DY-34A |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 1700V 200A A SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1700V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，200A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 49.4nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1980W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com
CM200DY-34A
Dual IGBTMOD? A-Series Module
200 Amperes/1700 Volts
Thermal and Mechanical Characteristics, Tj = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)Q
Per IGBT*
4
—
—
0.063
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
Contact Thermal Resistance
External Gate Resistance
Rth(j-c)D
Rth(c-f)
RG
Per FWDi* 4
Thermal Grease Applied* 4, * 5
—
—
2.4
—
—
—
0.11
—
24
°C/W
°C/W
Ω
*4 Case temperature (TC), and heatsink temperature (Tf) measured point is just under the chips.
*5 Typical value is measured by using thermally conductive grease of λ = 0.9 [W/(m ? K)].
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
400
300
V GE =
20V
13
15
12
T j = 25 o C
5
4
V CE = 15V
T j = 25°C
T j = 125°C
400
300
V GE = 10V
T j = 25°C
T j = 125°C
200
11
3
2
200
100
8
10
9
1
100
0
0
2
4
6
8
10
0
0
100
200
300
400
0
0
4
8
12
16
20
CAPACITANCE VS. VCE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
(TYPICAL)
10
8
T j = 25°C
I C = 400A
10 3
10 2
C ies
6
I C = 200A
10 1
4
2
I C = 80A
10 2
T j = 25°C
T j = 125°C
10 0
V GE = 0V
C oes
C res
0
0
4
8
12
16
20
10 1
0
1
2
3
4
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
10/13 Rev. 2
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
3
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