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参数资料
| 型号： | CM300DU-12F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 600V 300A F SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，300A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 300A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 81nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
CM300DU-12F
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
TRENCH GATE DESIGN
DUAL IGBTMOD?
300 AMPERES/600 VOLTS
A
TC MEASURED POINT
D
G2
E2
T - (4 TYP.)
U (4 PLACES)
H
B E
CM
C2E1
CL
E2
C1
E1
G1
J
H
DESCRIPTION:
Q
Q
P
N
G
POWEREX IGBTMOD? MODULES
S - NUTS
(3 TYP)
ARE DESIGNED FOR USE IN SWITCHING
APPLICATIONS. EACH MODULE CON-
W
K
X
W
K
X
W
K
R
V
SISTS OF TWO IGBT TRANSISTORS IN A
HALF-BRIDGE CON?GURATION WITH EACH
TRANSISTOR HAVING A REVERSE-CON-
F
M
NECTED SUPER-FAST RECOVERY FREE-
WHEEL DIODE. ALL COMPONENTS AND
C
LABEL
L
INTERCONNECTS ARE ISOLATED FROM THE
HEAT SINKING BASEPLATE, OFFERING
SIMPLI?ED SYSTEM ASSEMBLY AND
THERMAL MANAGEMENT.
C2E1
RTC
E2
RTC
G2
E2
C1
FEATURES:
￡ LOW DRIVE POWER
￡ LOW VCE(SAT)
￡ DISCRETE SUPER-FAST RECOVERY
FREE-WHEEL DIODE
￡ ISOLATED BASEPLATE FOR EASY
OUTLINE DRAWING AND CIRCUIT DIAGRAM
E1
G1
HEAT SINKING
APPLICATIONS:
￡ AC MOTOR CONTROL
￡ UPS
Dimensions
A
B
Inches
4.25
2.44
Millimeters
108.0
62.0
Dimensions
M
N
Inches
0.33
0.10
Millimeters
8.5
2.5
￡ BATTERY POWERED SUPPLIES
ORDERING INFORMATION:
EXAMPLE: SELECT THE COMPLETE
C
1.14 +0.04/-0.02 29.0 +1.0/-0.5
P
0.85
21.5
MODULE NUMBER YOU DESIRE FROM
D
E
F
3.66±0.01
1.88±0.01
0.67
93.0±0.25
48.0±0.25
17.0
Q
R
S
0.98
0.11
M6
25.0
2.8
M6
THE TABLE - I.E. CM300DU-12F IS A
600V (VCES), 300 AMPERE DUAL
IGBTMOD? POWER MODULE.
G
H
J
0.16
0.24
0.59
4.0
6.0
15.0
T
U
V
0.26 DIA.
0.02
0.62
6.5 DIA.
0.5
15.85
Type
CM
Current Rating
Amperes
300
VCES
Volts (x 50)
12
K
L
0.55
0.87
14.0
22.0
W
X
0.71
0.28
18.0
7.0
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM300DU-12F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM300DU-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM300DU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM300DU-12NFH | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 300A NFH SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM300DU-12NFH_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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