- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录617 > CM400DU-24NFH (Powerex Inc)IGBT MOD DUAL 1200V 400A NFH SER Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | CM400DU-24NFH |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 1200V 400A NFH SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 6.5V @ 15V，400A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 400A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 63nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1040W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2C-5015-ND - KIT DEV BOARD 5A FOR IGBT BG2C-3015-ND - KIT DEV BOARD 3A FOR IGBT BG2A-NFH-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com
CM400DU-24NFH
Dual IGBTMOD? NFH-Series Module
400 Amperes/1200 Volts
Thermal and Mechanical Characteristics, Tj = 25 °C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
Rth(j-c)Q
Test Conditions
Per IGBT 1/2 Module, TC Reference
Min.
—
Typ.
—
Max.
0.12
Units
°C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)D
Per FWDi 1/2 Module, TC Reference
—
—
0.23
°C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)'Q
Per IGBT 1/2 Module,
—
—
0.051
°C/W
TC Reference Point Under Chips
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)'D
Per FWDi 1/2 Module, TC Reference
—
—
0.093
°C/W
Point per Outline Drawing
Contact Thermal Resistance
External Gate Resistance
Rth(c-f)
RG
Per 1/2 Module, Thermal Grease Applied
—
0.78
0.02
—
—
7.8
°C/W
Ω
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
800
600
T j = 25 o C
V GE = 20V
15
14
13
12
800
600
V GE = 10V
T j = 25 ° C
T j = 125 ° C
9
8
7
6
V GE = 15V
T j = 25 ° C
T j = 125 ° C
400
200
11
10
400
200
5
4
3
2
0
0
2
4
6
8
9
8
10
0
0
5
10
15
20
1
0
0
200
400
600
800
CAPACITANCE VS. VCE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
(TYPICAL)
10
8
T j = 25 ° C
I C = 800A
10 3
T j = 25 ° C
T j = 125 ° C
10 3
10 2
V GE = 0V
C ies
6
I C = 400A
10 2
10 1
4
2
I C = 160A
10 0
C oes
C res
0
6
8
10
12
14
16
18
20
10 1
0
1
2
3
4
5
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
7/11 Rev. 2
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM400DU-34KA | IGBT MOD DUAL 1700V 400A KA SER |
| CM400DU-5F | IGBT MOD DUAL 250V 400A F SER |
| CM400DX-12A | IGBT MOD DUAL 600V 400A NX SER |
| CM400DY-12H | IGBT MOD DUAL 600V 400A H SER |
| CM400DY-12NF | IGBT MOD DUAL 600V 400A NF SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM400DU-24NFH_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM400DU-24NFJ | 制造商:POWEREX 制造商全称:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Dual IGBTMOD NFJ-Series Module 400 Amperes/1200 Volts |
| CM400DU-34KA | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1700V 400A KA SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM400DU-34KA_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM400DU-5F | 功能描述:IGBT MOD DUAL 250V 400A F SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。