参数资料
型号: CM400HU-24F
厂商: Powerex Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD SGL 1200V 400A F SER
标准包装: 1
系列: IGBTMOD™
IGBT 类型: 沟道
配置: 单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,400A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 400A
电流 - 集电极截止(最大): 2mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 160nF @ 10V
功率 - 最大: 1600W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
其它名称: 835-1094
CM400HU-24F-ND
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM400HU-24F
Trench Gate Design Single IGBTMOD?
400 Amperes/1200 Volts
Dynamic Electrical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Symbol
C ies
C oes
C res
Test Conditions
V CE = 10V, V GE = 0V
Min.
Typ.
Max.
160
6.8
4
Units
nf
nf
nf
Inductive
Load
Switch
Times
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V CC = 600V, I C = 400A,
V GE1 = V GE2 = 15V,
R G = 0.78 ,
Inductive Load
300
100
600
300
ns
ns
ns
ns
Diode Reverse Recovery Time**
Diode Reverse Recovery Charge**
t rr
Q rr
Switching Operation
I E = 400A
23.6
350
ns
μ C
Thermal and Mechanical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R th(j-c) Q
Test Conditions
Per IGBT, T c Reference
Min.
Typ.
Max.
0.078
Units
° C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
R th(j-c) D
Per FWDi, T c Reference
0.09
° C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
R th(j-c) 'Q
Per IGBT,
0.04
° C/W
T c Reference Point Under Chip
Contact Thermal Resistance
R th(c-f)
Per Module, Thermal Grease Applied
0.02
° C/W
** Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
3
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