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参数资料
| 型号： | CM50TJ-24F |
| 厂商： | POWEREX INC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 128 x 64 pixel format, LED or EL Backlight available |
| 中文描述： | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | CM50TJ-24F |
3
CM50TJ-24F
Trench Gate Design Six IGBTMOD
50 Amperes/1200 Volts
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
Dynamic Electrical Characteristics,
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Input Capacitance
C
ies
C
oes
C
res
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
t
rr
Q
rr
–
–
20
nf
Output Capacitance
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V, f = 1MHz
–
–
0.85
nf
Reverse Transfer Capacitance
–
–
0.80
nf
Inductive
Turn-on Delay Time
V
CC
= 600V,
I
C
= 50A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 6.3 ,
Inductive Load
–
–
100
ns
Load
Rise Time
–
–
50
ns
Switch
Turn-off Delay Time
–
–
300
ns
Times
Fall Time
–
–
300
ns
Diode Reverse Recovery Time**
–
–
150
ns
Diode Reverse Recovery Charge**
Switching Operation
–
2.1
–
μ
C
Thermal and Mechanical Characteristics,
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal Resistance, Junction to Case
R
th(j-c)
Q
Per IGBT 1/6 Module, T
c
Reference
Point per Outline Drawing
–
–
0.57
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
R
th(j-c)
D
Per FWDi 1/6 Module, T
c
Reference
Point per Outline drawing
–
–
0.96
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
R
th(j-c)
'Q
Per IGBT 1/6 Module,
–
0.34
–
°
C/W
T
c
Reference Point Under Chip
Per FWDi 1/6 Module, T
c
Reference
T
c
Reference Point Under Chip
Per Module, Thermal Grease Applied
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)'D
–
0.45
–
°
C/W
Contact Thermal Resistance
R
th(c-f)
–
0.13
–
°
C/W
** Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
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