- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录618 > CM600HU-24F (Powerex Inc)IGBT MOD SGL 1200V 600A F SER Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | CM600HU-24F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD SGL 1200V 600A F SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，600A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 600A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 2mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 230nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2400W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM600HU-24F
Trench Gate Design Single IGBTMOD?
600 Amperes/1200 Volts
COLLECTOR-EMITTER
COLLECTOR-EMITTER
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
1200
1000
11
T j = 25 o C 15
V GE = 20V
10
9.5
9
3
V GE = 15V
T j = 25 ° C
T j = 125 ° C
5
4
T j = 25 ° C
800
2
3
600
I C = 1200 A
400
8.5
1
2
I C = 600A
I C = 240A
200
8
1
0
0
1
2
3
4
0
0
200
400
600
800
1000 1200
0
0
6
8
10 12 14
16
18 20
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
CAPACITANCE VS. V CE
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10 4
T j = 25 ° C
10 3
10 3
t d(off)
t f
C ies
t d(on)
10 3
10 2
10 2
t r
10 2
10 1
V GE = 0V
C oes
C res
10 1
V CC = 600V
V GE = ± 15V
R G = 1.0 ?
T j = 125 ° C
Inductive Load
10 1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
10 0
10 -1
10 0
10 1
10 2
10 0
10 1
10 2
10 3
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
10 3
(TYPICAL)
10 3
20
GATE CHARGE, V GE
10 1
10 -3
10 -2
(IGBT & FWDi)
10 -1
10 0
10 1
I rr
16
12
I C = 600A
V CC = 400V
V CC = 600V
10 0
Per Unit Base
R th(j-c) = 0.063 ° C/W (IGBT)
R th(j-c) = 0.075 ° C/W (FWDi)
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 2
t rr
10 2
10 -1
10 -1
8
V CC = 600V
V GE = ± 15V
R G = 1.0 ?
T j = 25 ° C
4
10 -2
10 -2
10 1
10 1
10 1
10 2
Inductive Load
10 3
0
0
2000
4000
6000
8000 10000
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -3
4
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
GATE CHARGE, Q G , (nC)
TIME, (s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM600HU-24H | IGBT MOD SGL 1200V 600A H SER |
| CM600HX-12A | IGBT MOD SGL 600V 600A NX SER |
| CM600HX-24A | IGBT MOD SGL 1200V 600A NX SER |
| CM75BU-12H | IGBT MOD H-BRDG 600V 75A U SER |
| CM75DU-12F | IGBT MOD DUAL 600V 75A F SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM600HU-24F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM600HU-24H | 功能描述:IGBT MOD SGL 1200V 600A H SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM600HU-24H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM600HX-12A | 功能描述:IGBT MOD SGL 600V 600A NX SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM600HX-24A | 功能描述:IGBT MOD SGL 1200V 600A NX SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™, NX 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。