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参数资料
| 型号： | CM75BU-12H |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD H-BRDG 600V 75A U SER |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 全桥反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 6.6nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
CM75BU-12H
FOUR IGBTMOD? U-SERIES MODULE
75 AMPERES/600 VOLTS
10 -3
10 -3
10 1
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT)
10 -2 10 -1 10 0
10 1
10 1
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDI)
10 -2 10 -1 10 0
10 1
10 0
10 -1
10 -2
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
PER UNIT BASE = R TH(J-C) = 0.4 ° C/W
10 -1
10 -2
10 0
10 -1
10 -2
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
PER UNIT BASE = R TH(J-C) = 0.9 ° C/W
10 -1
10 -2
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -3
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -3
4
TIME, (S)
TIME, (S)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM75DU-12F | IGBT MOD DUAL 600V 75A F SER |
| CM75DU-12H | IGBT MOD DUAL 600V 75A U SER |
| CM75DU-24F | IGBT MOD DUAL 1200V 75A F SER |
| CM75DU-24H | IGBT MOD DUAL 1200V 75A U SER |
| CM75DY-12H | IGBT MOD DUAL 600V 75A H SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM75BU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM75DU-12F | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 75A F SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM75DU-12F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM75DU-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 75A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM75DU-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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