型号: | CM75DU-12F |
厂商: | POWEREX INC |
元件分类: | IGBT 晶体管 |
英文描述: | Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 75 Amperes/600 Volts |
中文描述: | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 380K |
代理商: | CM75DU-12F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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CM800DZ-34H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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CM75DU-12F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
CM75DU-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 75A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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CM75DU-24H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 75A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |