参数资料
型号: CM75DU-12F
厂商: Powerex Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD DUAL 600V 75A F SER
标准包装: 3
系列: IGBTMOD™
IGBT 类型: 沟道
配置: 半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.2V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 75A
电流 - 集电极截止(最大): 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 20nF @ 10V
功率 - 最大: 290W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
CM75DU-12F
TRENCH GATE DESIGN DUAL IGBTMOD?
75 AMPERES/600 VOLTS
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS, Tj = 25°C unless otherwise speci?ed
Characteristics
INPUT CAPACITANCE
OUTPUT CAPACITANCE
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
Symbol
CIES
COES
CRES
Test Conditions
VCE = 10V, VGE = 0V
Min.
Typ.
Max.
20
1.4
0.75
Units
NF
NF
NF
INDUCTIVE
LOAD
SWITCH
TIMES
TURN-ON DELAY TIME
RISE TIME
TURN-OFF DELAY TIME
FALL TIME
TD(ON)
TR
TD(OFF)
TF
VCC = 300V, IC = 75A,
VGE1 = VGE2 = 15V,
RG = 8.3  ,
INDUCTIVE LOAD
100
80
300
250
NS
NS
NS
NS
DIODE REVERSE RECOVERY TIME**
DIODE REVERSE RECOVERY CHARGE**
TRR
QRR
SWITCHING OPERATION
IE = 75A
1.4
150
NS
μ C
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS, Tj = 25°C unless otherwise speci?ed
Characteristics
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE
Symbol
RTH(J-C)Q
Test Conditions
PER IGBT 1/2 MODULE, TC REFERENCE
Min.
Typ.
Max.
0.43
Units
°C/W
POINT PER OUTLINE DRAWING
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE
RTH(J-C)D
PER FWDI 1/2 MODULE, TC REFERENCE
0.9
°C/W
POINT PER OUTLINE DRAWING
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE
RTH(J-C)'Q
PER IGBT 1/2 MODULE,
0.29
°C/W
TC REFERENCE POINT UNDER CHIP
CONTACT THERMAL RESISTANCE
RTH(C-F)
PER MODULE, THERMAL GREASE APPLIED
0.055
°C/W
** REPRESENTS CHARACTERISTICS OF THE ANTI-PARALLEL, EMITTER-TO-COLLECTOR FREE-WHEEL DIODE (FWDI).
3
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