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参数资料
| 型号： | CM75DU-12H |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 600V 75A U SER |
| 标准包装： | 3 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 6.6nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
CM75DU-12H
DUAL IGBTMOD? U-SERIES MODULE
75 AMPERES/600 VOLTS
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
150
125
100
T J = 25 O C
V GE =
20V
14
15
13
12
150
125
100
V CE = 10V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
5
4
3
V GE = 15V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
75
11
75
50
25
10
9
50
25
2
1
8
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
0
0
40
80
120
160
CAPACITANCE VS. V CE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
(TYPICAL)
10
T J = 25 ° C
10 3
T J = 25 ° C
10 2
V GE = 0V
F = 1MHZ
8
6
I C = 75A
I C = 150A
10 2
10 1
C IES
10 0
C OES
4
2
I C = 30A
10 1
10 -1
C RES
0
0
4
8
12
16
20
10 0
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 2
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
GATE CHARGE, V GE
10 3
V CC = 300V
V GE = ± 15V
R G = 8.3 ?
T J = 125 ° C
T D(OFF)
10 3
DI/DT = -150A/ μ SEC
T J = 25 ° C
10 2
20
15
I C = 75A
V CC = 200V
T F
V CC = 300V
10 2
T D(ON)
10 2
T RR
I RR
10 1
10
5
10 1
10 0
T R
10 1
10 2
10 1
10 0
10 1
10 2
10 0
10 3
0
0
50
100
150
200
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
GATE CHARGE, Q G , (NC)
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CM75DU-24F | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 75A F SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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| CM75DU-24H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM75DY12E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
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