参数资料
型号: CM75DY-12H
厂商: Powerex Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD DUAL 600V 75A H SER
标准包装: 3
系列: IGBTMOD™
配置: 半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.8V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 75A
电流 - 集电极截止(最大): 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 7.5nF @ 10V
功率 - 最大: 310W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM75DY-12H
Dual IGBTMOD? H-Series Module
75 Amperes/600 Volts
150
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
150
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
5
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
125
T j = 25 o C
VG E = 20V
15
12
125
V CE = 10V
T j = 25°C
T j = 125°C
4
V GE = 15V
T j = 25°C
T j = 125°C
100
11
100
3
75
50
10
75
50
2
25
0
7
9
8
25
0
1
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
0
25
50
75
100
125
150
10
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10 3
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10 2
COLLECTOR-CURRENT, I C , (AMPERES)
CAPACITANCE VS. V CE
(TYPICAL)
8
T j = 25°C
I C = 150A
T j = 25°C
6
4
I C = 75A
10 2
10 1
10 1
10 0
C ies
C oes
2
I C = 30A
V GE = 0V
f = 1MHz
C res
0
0
4
8
12
16
20
10 0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
10 -1
10 -1
10 0
10 1
10 2
GATE-EMITTER VOLTAGE, V GE , (VOLTS)
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V EC , (VOLTS)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
GATE CHARGE, V GE
10 3
t f
t d(off)
10 3
10 2
20
16
V CC = 200V
10 2
t d(on)
10 2
t rr
I rr
10 1
12
V CC = 300V
8
10 1
t r
V CC = 300V
V GE = ±15V
R G = 8.3 ?
T j = 125°C
10 1
di/dt = -150A/ μ sec
T j = 25°C
10 0
4
10 0
10 0
10 1
10 2
10 0
10 0
10 1
10 -1
10 2
0
0
50
100
150
200
250
300
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
GATE CHARGE, Q G , (nC)
231
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PDF描述
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