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参数资料
| 型号： | CM75DY-28H |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 1400V 75A H SER |
| 标准包装： | 2 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1400V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 4.2V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 15nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM75DY-28H
Dual IGBTMOD? H-Series Module
75 Amperes/1400 Volts
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDi)
10 -3
10 -3
10 1
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 1
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
Single Pulse
T C = 25 ° C
Per Unit Base = R th(j-c) = 0.21 ° C/W
10 -1
10 -2
10 -3
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
Single Pulse
T C = 25 ° C
Per Unit Base = R th(j-c) = 0.47 ° C/W
10 -1
10 -2
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
284
TIME, (s)
TIME, (s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM75DY-34A | IGBT MOD DUAL 1700V 75A A SER |
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| CM75MX-12A | CIB MOD 600V 75A NX SER |
| CM75MX-24A | CIB MOD 1200V 75A NX SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CM75DY-34A_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM75DY-34A_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM75E3U-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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