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参数资料
| 型号： | CM75E3U-12H |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD CHOP 600V 75A U SER |
| 标准包装： | 4 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 6.6nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (412) 925-7272
CM75E3U-12H
Chopper IGBTMOD? U-Series Module
75 Amperes/600 Volts
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE CHARGE, V GE
10 3
V CC = 300V
V GE = ± 15V
R G = 8.3 ?
T j = 125 ° C
t d(off)
t f
10 3
di/dt = -150A/ μ sec
T j = 25 ° C
10 2
20
15
I C = 75A
V CC = 200V
10 2
V CC = 300V
10 1
t d(on)
t r
10 2
t rr
I rr
10 1
10
5
10 0
10 0
10 1
10 2
10 1
10 0
10 1
10 0
10 2
0
0
50
100
150
200
COLLECTOR CURRENT, I C , (AMPERES)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT)
EMITTER CURRENT, I E , (AMPERES)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDi)
GATE CHARGE, Q G , (nC)
10 1
10 1
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
Single Pulse
T C = 25 ° C
Per Unit Base = R th(j-c) = 0.4 ° C/W
10 -1
10 -2
10 -3
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
Single Pulse
T C = 25 ° C
Per Unit Base = R th(j-c) = 0.9 ° C/W
10 -1
10 -2
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
110
TIME, (s)
TIME, (s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CM75E3U-24H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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