参数资料
型号: CM75RL-12NF
厂商: Powerex Inc
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD 7PAC 600V 75A NF SER
标准包装: 2
系列: IGBTMOD™
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.2V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 75A
电流 - 集电极截止(最大): 1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 11.3nF @ 10V
功率 - 最大: 430W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
配用: BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT
BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT
BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com
CM75RL-12NF
Six IGBTMOD? + Brake NF-Series Module
75 Amperes/600 Volts
Electrical and Mechanical Characteristics, T j = 25°C unless otherwise specified
Inverter Sector
Characteristics
Collector Cutoff Current
Gate-Emitter Threshold Voltage
Gate Leakage Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Symbol
I CES
V GE(th)
I GES
V CE(sat)
C ies
C oes
C res
Q G
Test Conditions
V CE = V CES , V GE = 0V
I C = 7.5mA, V CE = 10V
V GE = V GES , V CE = 0V
I C = 75A, V GE = 15V, T j = 25°C
I C = 75A, V GE = 15V, T j = 125°C
V CE = 10V, V GE = 0V
V CC = 300V, I C = 75A, V GE = 15V
Min.
6
Typ.
7
1.7
1.7
300
Max.
1.0
8
0.5
2.2
11.3
1.4
0.45
Units
mA
Volts
μA
Volts
Volts
nf
nf
nf
nC
Inductive
Turn-on Delay Time
t d(on)
120
ns
Load
Switch
Time
Turn-on Rise Time
Turn-off Delay Time
Turn-off Fall Time
t r
t d(off)
t f
V CC = 300V, I C = 75A,
V GE1 = V GE2 = 15V,
R G = 8.3 Ω , I E = 75A,
100
300
300
ns
ns
ns
Reverse Recovery Time*
Reverse Recovery Charge*
Emitter-Collector Voltage*
t rr
Qrr
V EC
Inductive Load Switching Operation
I E = 75A, V GE = 0V
1.2
100
2.8
ns
μC
Volts
Thermal and Mechanical Characteristics, T j = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case**
Thermal Resistance, Junction to Case**
Contact Thermal Resistance
External Gate Resistance
Symbol
R th(j-c) Q
R th(j-c) D
R th(c-f)
R G
Test Conditions
Per IGBT 1/6 Module
Per FWDi 1/6 Module
Per 1/6 Module, Thermal Grease Applied
Min.
8.3
Typ.
Max.
0.29
0.51
0.085
83
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Ω
*Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
**T C , T f measured point is just under the chips.
10/10 Rev. 1
3
相关PDF资料
PDF描述
CM75RL-24NF IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NF SER
CM75RX-24A IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NX SER
CM75RX-24S IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NX SER
CM75TF-12H IGBT MOD 6PAC 600V 75A H SER
CM75TF-24H IGBT MOD 6PAC 1200V 75A H SER
相关代理商/技术参数
参数描述
CM75RL-12NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM75RL-24NF 功能描述:IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NF SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM75RX-24A 功能描述:IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NX SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM75RX-24S 功能描述:IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NX SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM75RX-34SA 制造商:POWEREX 制造商全称:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Six IGBT Brake NX-Series Module 75 Amperes/1700 Volts