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参数资料
| 型号： | CM75RX-24A |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NX SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 11.5nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 配用： | BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272
CM75RX-24A
Six IGBTMOD? + Brake NX-Series Module
75 Amperes/1200 Volts
Electrical and Mechanical Characteristics, T j = 25°C unless otherwise specified
Brake Sector
Characteristics
Collector Cutoff Current
Gate-Emitter Threshold Voltage
Gate Leakage Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Repetitive Reverse Current*
Forward Voltage Drop *
Symbol
I CES
V GE(th)
I GES
V CE(sat)
C ies
C oes
C res
Q G
I RRM
V F
Test Conditions
V CE = V CES , V GE = 0V
I C = 5mA
V GE = V GES , V CE = 0V
I C = 50A, V GE = 15V, T j = 25°C
I C = 50A, V GE = 15V, T j = 125°C
I C = 50A, V GE = 15V, Chip
V CE = 10V, V GE = 0V
V CC = 600V, I C = 50A, V GE = 15V
V R = V RRM
I F = 50A, T j = 25°C
I F = 50A, T j = 125°C
I F = 50A, Chip
Min.
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Typ.
—
7
—
2.0
2.2
1.9
—
—
—
250
—
2.6
2.16
2.5
Max.
1.0
8
0.5
2.6
—
—
8.5
0.75
0.17
—
1.0
3.4
—
—
Units
mA
Volts
μA
Volts
Volts
Volts
nF
nF
nF
nC
mA
Volts
Volts
Volts
Thermal and Mechanical Characteristics, T j = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case**
Thermal Resistance, Junction to Case**
Contact Thermal Resistance**
Internal Gate Resistance
External Gate Resistance
Symbol
R th(j-c) Q
R th(j-c) D
R th(j-f)
R Gint
R G
Test Conditions
Per IGBT
Per FWDi
Thermal Grease Applied
T C = 25°C
Min.
—
—
—
—
6
Typ.
—
—
0.015
0
—
Max.
0.35
0.63
—
—
62
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Ω
Ω
NTC Thermistor Sector, T j = 25°C unless otherwise specified
Characteristics
Zero Power Resistance
Deviation of Resistance
B Constant
Power Dissipation
Symbol
R
? R/R
B (25/50)
P 25
Test Conditions
T C = 25°C
T C = 100°C, R 100 = 493 Ω
B = (InR 1 – InR 2 ) / (1/T 1 – 1/T 2 )***
T C = 25°C
Min.
4.85
–7.3
—
—
Typ.
5.00
—
3375
—
Max.
5.15
+7.8
—
10
Units
k Ω
%
K
mW
*Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
**T C , T f measured point is just under the chips.
***R1: Resistance at Absolute Temperature T 1 (K), R 2 : Resistance at Absolute Temperature T 2 (K), T(K) = t(°C) + 273.15
4
Rev. 11/08
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PDF描述 |
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