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参数资料
| 型号： | CM75TJ-24F |
| 厂商： | POWEREX INC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 75 Amperes/1200 Volts |
| 中文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | CM75TJ-24F |
4
CM75TJ-24F
Trench Gate Design Six IGBTMOD
75 Amperes/1200 Volts
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
GATE CHARGE, Q
G
, (nC)
G
G
,
GATE CHARGE, V
GE
20
0
16
12
8
4
0
COLLECTOR CURRENT, I
C
, (AMPERES)
10
3
10
0
10
1
10
2
10
2
10
1
10
0
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V
CE
, (VOLTS)
C
i
,
o
,
r
,
CAPACITANCE VS. V
CE
(TYPICAL)
10
-1
10
0
10
2
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
1
0
1.0
3.0
2.0
4.0
10
0
10
1
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V
EC
, (VOLTS)
FREE-WHEEL DIODE
FORWARD CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10
2
10
3
E
E
,
GATE-EMITTER VOLTAGE, V
GE
, (VOLTS)
S
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
5
T
j
= 25
°
C
0
4
8
12
16
20
4
3
2
1
0
COLLECTOR-CURRENT, I
C
, (AMPERES)
C
S
C
,
)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION VOLTAGE CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
3.0
V
GE
= 15V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
2.5
0
50
100
2.0
1.5
1.0
0.5
0
150
V
GE
= 0V
C
ies
C
oes
C
res
200
400
800
1000 1200
600
V
CC
= 600V
t
d(off)
t
d(on)
t
r
V
CC
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
= 4.2
T
= 125
°
C
Inductive Load
t
f
I
C
= 30A
I
C
= 150A
I
C
= 75A
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V
CE
, (VOLTS)
C
C
,
OUTPUT CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
0
1
2
3
4
100
25
0
V
GE
= 20V
11
10
9.5
9
T
j
= 25
o
C
50
125
150
8.5
8
15
EMITTER CURRENT, I
E
, (AMPERES)
R
r
,
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10
2
10
0
10
1
10
2
10
1
10
0
10
2
10
1
10
0
r
,
t
rr
I
rr
T
j
= 25
°
C
TIME, (s)
t
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT & FWDi)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
Z
t
t
R
= 0.35
°
C/W (IGBT)
Under Chip = 0.22
°
C/W
R
th(j-c)
= 0.47
°
C/W (FWDi)
Per Unit Base
Single Pulse
T
C
= 25
°
C
V
CC
= 600V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 4.2
T
= 25
°
C
Inductive Load
V
CC
= 400V
I
C
= 75A
75
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