- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录618 > CM75TU-24F (Powerex Inc)IGBT MOD 6PAC 1200V 75A F SER Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | CM75TU-24F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD 6PAC 1200V 75A F SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 29nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 450W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
CM75TU-24F
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
Trench Gate Design
Six IGBTMOD?
75 Amperes/1200 Volts
S - NUTS (5 TYP)
K
J
K
T (4 TYP.)
R
CM
N
P
P
GUP EUP
GVP EVP
GWP EWP
B E
L
N
L
N
L
M
Q
TC
GUN EUN
GVN EVN
GWN EWN
TC
MEASURING
MEASURING
POINT
U
V
W
POINT
L
J
N
J
L
N
L
Description:
Powerex IGBTMOD? Modules
are designed for use in switching
W - THICK x X - WIDE
D
A
V
W - THICK x X - WIDE
TAB (12 PLACES)
applications. Each module consists
of six IGBT Transistors in a three
phase bridge configuration, with
TAB (12 PLACES)
H
each transistor having a reverse-
connected super-fast recovery
free-wheel diode. All components
C
F
G
and interconnects are isolated
from the heat sinking baseplate,
offering simplified system assembly
P
and thermal management.
GUP
EUP
RTC
U
GVP
EVP
RTC
V
GWP
EWP
RTC
W
A
Features:
□ Low Drive Power
Low V CE(sat)
□ Discrete Super-Fast Recovery
Free-Wheel Diode
GUN
GVN
GWN
□ Isolated Baseplate for Easy
RTC
EUN EVN
N
Outline Drawing and Circuit Diagram
Dimensions Inches Millimeters
RTC
RTC
EWN
Dimensions
Inches
Millimeters
Heat Sinking
Applications:
□ AC Motor Control
UPS
□ Battery Powered Supplies
A
B
C
D
E
4.21 107.0
4.02 102.0
1.14 +0.04/-0.02 29.0 +1.0/-0.5
3.54 ± 0.01 90.0 ± 0.25
3.15 ± 0.01 80.0 ± 0.25
M
N
P
Q
R
0.57
0.85
0.67
1.91
0.15
14.4
21.7
17.0
48.5
3.75
Ordering Information:
Example: Select the complete
module number you desire from
the table - i.e. CM75TU-24F is a
1200V (V CES ), 75 Ampere Six-
IGBT IGBTMOD? Power Module.
F
G
H
0.16
1.02
0.31
4.0
26.0
8.1
S
T
V
M5
0.2 2 Dia.
0.03
M5
5.5 Dia.
0.8
Type
CM
Current Rating
Amperes
75
V CES
Volts (x 50)
24
J
K
0.91
0.47
23.0
12.0
W
X
0.02
0.110
0.5
2.79
L
0.43
11.0
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM75TU-24H | IGBT MOD 6PAC 1200V 75A U SER |
| CM75TU-34KA | IGBT MOD 6PAC 1700V 75A KA SER |
| CM800DU-12H | IGBT MOD DUAL 600V 800A U SER |
| CM800HA-24H | IGBT MOD SGL 1200V 800A H SER |
| CM800HA-28H | IGBT MOD SGL 1400V 800A H SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM75TU-24F_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM75TU-24H | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 75A U SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM75TU-24H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM75TU-34KA | 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1700V 75A KA SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM75TU-34KA_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。