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参数资料
| 型号： | CMBTA44 |
| 厂商： | Continental Device India Limited |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅外延平面晶体管 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | CMBTA44 |
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CMBTA44
SOT-23
Formed SMD Package
Marking Code is =3Z
Designed for Extremely High Voltage Applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)
DESCRIPTION
SYMBOL
UNITS
Collector Base Voltage
VCBO
V
Collector Emitter Voltage
VCEO
V
Emitter Base Voltage
VEBO
V
Collector Current
IC
mA
Collector Power Dissipation
PD
mW
Operating And Storage Junction
Temperature Range
Tj, Tstg
C
THERMAL RESISTANCE
Junction to Ambient in free air
Rth(j-a)
C/W
Electrical Characterstics (Ta=25C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector Cut Off Current
ICBO
VCB=400V, IE=0
100
nA
Collector Cut Off Current
ICES
VCE=400V, VBE=0
500
nA
Emitter Cut Off Current
IEBO
VEB=4V, IC=0
100
nA
Collector Base Voltage
VCBO
IC=100A, IE=0
450
V
Collector Emitter Voltage
VCES
IC=100A, VBE=0
450
V
Collector Emitter Voltage
VCEO
IC=1mA, IB=0
400
V
Emitter Base Voltage
VEBO
IE=10A, IC=0
6
V
IC=1mA, IB=0.1mA
0.40
V
IC=10mA, IB=1mA
0.50
V
IC=50mA, IB=5mA
0.75
V
Base Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=10mA, IB=1mA
0.75
V
DC Current Gain
hFE
VCE =10V, IC=1mA
40
VCE =10V, IC=10mA
50
200
VCE =10V, IC=50mA
45
VCE =10V, IC=100mA
20
Transition Frequency
fT
VCE=10V, IC=10mA, f=10MHz
20
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=20V, IE =0, f=1MHz
7.0
pF
Input Capacitance
Cib
VEB =0.5V, Ic=0, f=1MHz
130
pF
VALUE
450
400
6
300
350
- 65 to+150
357
Collector Emitter Saturation
Voltage
VCE(sat)
PIN CONFIGURATION (NPN)
1 = BASE
2 = EM ITTER
3 = COLLECTOR
2
1
3
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
Continental Device India Limited
An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMDA32DY15D13L | SINGLE COLOR LED, AMBER |
| CMDA37AG15D13L | SINGLE COLOR LED, GREEN |
| CMDA49AR15D13L | SINGLE COLOR LED, RED |
| CMDA51CW15D13L | SINGLE COLOR LED, PURE WHITE |
| CMDZ4703TR | 16 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CMBTA55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| CMBTA56 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Darlington Trans PNP,0.5A,80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBTA56-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBTA56T/-W | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMBTA92 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Darlington Trans PNP,0.5A,300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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